中国科学院半导体研究所

半导体所在非磁性掺杂的铁磁性半导体研究中取得重要进展	09-01-15
863 “半导体照明工程”重大项目“130lm/W 半导体白光照明集成技术研究”评估...	08-10-30
半导体研究所在非极性氮化镓材料研究中取得进展	08-06-17
“这是一个可以真正实现产业化的科研成果”	08-05-20
半导体所研发成功国际首创WLAN＋移动电视调谐器射频芯片	07-11-05
李树深研究员论文被《自然中国》选为突出研究成果	07-09-25
我国氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破--首次实现室温连续激射的氮化镓...	07-05-09
超晶格室科研人员在国际上首次提出电子的非线性Rashba模型	07-01-26
我国首款完全自主知识产权WLAN芯片研发成功	06-10-31
宽禁带半导体氮化铟低维结构研究取得重要进展	06-09-12
“高性能GaN外延材料研究”通过专家鉴定	06-09-04
“直径6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究” 通过专家鉴定	06-03-20
中国科学院半导体所研发成功快速锁定的锁相环频率合成器芯片	06-03-20
抢占半导体照明新兴产业制高点	06-02-20