2019年申报教育部自然科学一等奖项目公示
半导体所在石墨烯上外延深紫外LED研究中取得新进展
半导体所锑化物半导体量子阱激光器研究获得重要进展
半导体所实现了晶圆级高质量InAs纳米结构的维度调控
半导体所在隐藏自旋轨道耦合研究中取得进展
半导体所娄正副研究员入选第四届“青年人才托举工程”
半导体所蓝绿激光原位三维成像系统“凤眼”取得新进展
半导体所与北大合作在二维晶体范德华外延氮化物方面取得新进展
半导体所超晶格室在磁性绝缘体中磁振子的拓扑性质研究中取得新进展
半导体所撰写石墨烯基材料拉曼散射及其应用的综述论文
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半导体所在非磁性掺杂的铁磁性半导体研究中取得重要进展 09-01-15
我所GaAs基长波长激光器又一重要进展被英国物理学会(IOP,UK)CompoundSemicon... 08-12-16
半导体所区大功率LED 路灯初显半导体照明魅力 08-11-18
863 “半导体照明工程”重大项目“130lm/W 半导体白光照明集成技术研究”评估... 08-10-30
半导体所微机电系统机械性能可靠性研究取得最新进展 08-10-16
半导体研究所在非极性氮化镓材料研究中取得进展 08-06-17
“这是一个可以真正实现产业化的科研成果” 08-05-20
《物理评论快报》发表半导体所自旋霍尔效应研究新进展 08-03-04
国际著名期刊报道半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的InGaAs量子阱激光... 08-02-29
半导体所研发成功国际首创WLAN+移动电视调谐器射频芯片 07-11-05
半导体所量子点单光子发射器件研究获得重要突破 07-10-10
李树深研究员论文被《自然中国》选为突出研究成果 07-09-25
我国氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破--首次实现室温连续激射的氮化镓... 07-05-09
超晶格室科研人员在国际上首次提出电子的非线性Rashba模型 07-01-26
我国首款完全自主知识产权WLAN芯片研发成功 06-10-31
宽禁带半导体氮化铟低维结构研究取得重要进展 06-09-12
“大功率全固态激光器”通过专家鉴定 06-09-04
“高性能GaN外延材料研究”通过专家鉴定 06-09-04
“直径6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究” 通过专家鉴定 06-03-20
中国科学院半导体所研发成功快速锁定的锁相环频率合成器芯片 06-03-20
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