官方微信
友情链接
国际著名期刊报道半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的InGaAs量子阱激光... 08-02-29
半导体所研发成功国际首创WLAN+移动电视调谐器射频芯片 07-11-05
半导体所量子点单光子发射器件研究获得重要突破 07-10-10
李树深研究员论文被《自然中国》选为突出研究成果 07-09-25
我国氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破--首次实现室温连续激射的氮化镓... 07-05-09
超晶格室科研人员在国际上首次提出电子的非线性Rashba模型 07-01-26
我国首款完全自主知识产权WLAN芯片研发成功 06-10-31
宽禁带半导体氮化铟低维结构研究取得重要进展 06-09-12
“大功率全固态激光器”通过专家鉴定 06-09-04
“高性能GaN外延材料研究”通过专家鉴定 06-09-04
“直径6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究” 通过专家鉴定 06-03-20
中国科学院半导体所研发成功快速锁定的锁相环频率合成器芯片 06-03-20
抢占半导体照明新兴产业制高点 06-02-20
关于我们
下载视频观看
联系方式
通信地址

北京市海淀区清华东路甲35号 北京912信箱 (100083)

电话

010-82304210/010-82305052(传真)

E-mail

semi@semi.ac.cn

交通地图
版权所有 ? 中国科学院半导体研究所

备案号:京ICP备05085259号 京公网安备110402500052 中国科学院半导体所声明