半导体所等在莫尔异质结层间激子研究方面取得进展
半导体所等在手性分子产生自旋极化研究中取得新进展
半导体所在高功率、低噪声量子点DFB单模激光器研究方面取得重要进展
半导体所在硅基外延量子点激光器研究方面取得重要进展
半导体所在非互易光学介质几何理论方面取得进展
半导体所在氮化物材料外延研究中取得新进展
半导体所在硅上In线的光致相变机理中取得新进展
半导体所发现亚铁磁自旋调控新机理
半导体所成功研制一款极低电压低抖动低功耗频率综合器芯片
半导体所在激子-声子的量子干涉研究方面取得进展
官方微信
友情链接

半导体所在高功率皮秒光纤放大器研究上获重要进展

2012-04-01

 

高功率和超快的光纤激光器和放大器具有光束质量好、光光转换效率高、脉冲能量高、热效应小等优点在材料微加工处理、高技术、太阳能电池等领域得以广泛应用,高功率光纤激光器和放大器能克服传统的固体激光器存在的一些问题。也正是由于这些独特优势使得其逐渐成为近年来的研究热点之一。

半导体所全固态光源实验室采用半导体可饱和吸收体作为锁模器件的高稳定性Nd:YVO4 激光器作为种子源,6米长20 μm 纤芯双包层掺镱光纤作为增益介质。通过反向泵浦的单级主振荡功率放大系统,将0.7 W 的种子源放大到62 W,中心波长在1064 nm,脉宽为40 ps,重复频率为80 MHz。该放大系统可以在57.6 W 稳定工作数小时,且在57.6 W高平均功率输出时没有放大的自发辐射和受激拉曼散射等现象出现。此激光器是在单级反向泵浦20 μm级纤芯光纤放大器获得的最高功率输出。

 

图1 实验装置图

图2 皮秒光纤放大器的输入输出曲线



关于我们
下载视频观看
联系方式
通信地址

北京市海淀区清华东路甲35号(林大北路中段) 北京912信箱 (100083)

电话

010-82304210/010-82305052(传真)

E-mail

semi@semi.ac.cn

交通地图
版权所有 中国科学院半导体研究所

备案号:京ICP备05085259-1号 京公网安备110402500052 中国科学院半导体所声明