半导体所在硅光调制器研究上获重要进展
高性能处理器目前普遍采用多核并行处理的架构,其性能不仅取决于处理核心的性能和数量,也取决于处理核心之间的通信效率。随着片上集成的处理核心越来越多,多核处理器对片上网络通信带宽的要求越来越高,传统金属连线实现的片上网络因其高功耗、低带宽及高延迟逐渐成为多核处理器发展的瓶颈,光互连以其低功耗、高带宽与低延迟被广泛认为是一个非常有前景的替代方案。
光调制器是片上光互连的核心器件,其基本功能是实现信息从电域向光域的转换。半导体所研究人员通过优化波导结构和反向PN结,获得具有高调制效率(VpL=1.26V·cm)的调制结构,通过优化设计获得了低传输损耗的共面波导电极,通过端接的方式降低电信号反射,采用差分驱动降低工作电压,在保证调制速率的前提下,显著降低了功耗。我们研制出了调制速率为26Gb/s,消光比为9dB,驱动电压为0.5V,功耗为146fJ/bit的Mach-Zehnder硅光调制器,将载流子耗尽型Mach-Zehnder硅光调制器的功耗从国际上普遍的几个pJ/bit降低了一个数量级。
论文链接:http://www.opticsinfobase.org/oe/abstract.cfm?uri=oe-20-3-3209;
http://www.opticsinfobase.org/oe/abstract.cfm?URI=oe-20-7-7081。
表1、半导体所的器件与国际同行研究结果的比较。
单位 |
调制速率 (Gbit/s) |
消光比(dB) |
驱动电压(V) |
长度(mm) |
功耗(pJ/bit) |
参考文献 |
Intel |
40 |
1.2 |
6.5 |
1 |
30 |
OE 15 (2007) 660 |
IBM |
10 |
~ |
7.6 |
0.2 |
5 |
OE 15 (2007) 17106 |
Kotura |
12.5 |
7.3 |
6 |
1 |
>14.4 |
OE 18 (2010) 7994 |
Surrey |
50 |
2.2 |
6.5 |
1 |
4.2 |
PTL 24(2012) 234 |
Fujikura |
12.5 |
9 |
5 |
4 |
>10 |
OE 19 (2011) B26 |
Alcatel-Lucent |
50 |
4.7 |
4.5 |
2 |
>2 |
OE 20 (2012)6163 |
ETRI |
30 |
7.2 |
1.2 |
1 |
- |
OE 19 (2011) 26936 |
IME |
10 |
8.74 |
5 |
4 |
>12.5 |
OE 19 (2011) 18029 |
ISCAS |
12.5 |
7.7 |
1 |
2 |
2.4 |
OE 20 (2012) 3209 |
26 |
9 |
0.5 |
2 |
0.146 |
OE 20 (2012) 7081 |
图1、载流子耗尽型Mach-Zehnder硅光调制器的结构及性能。