科研进展
半导体所可重构异质结光电晶体管的三维信息感知系统研制取得新进展
半导体所在光学张量处理领域取得新进展
半导体所在基于氧化镓的日盲紫外偏振光探测器方面取得新进展
半导体所在PZT光电子材料与器件领域取得重大突破
半导体所提出免于退极化效应的光学声子软化新理论
半导体所在垂直自旋器件的全电写入关键技术方面取得进展
半导体所在光电集成互连技术领域研究取得新进展
半导体所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展
半导体所等在砷化镓（GaAs）中产生自旋极化研究方面取得进展
半导体所有源光束扫描激光器研发取得进展
官方微信


扫描关注中国科学院半导体所

友情链接
首页 > 新闻动态 > 科研进展
半导体所发表钙钛矿太阳能电池稳定性专题评论文章 17-04-17
半导体所在室温全电控制自旋翻转研究中取得新突破 17-04-05
推荐北京市科学技术奖候选项目公示 17-03-31
半导体所在柔性紫外成像研究方面取得新进展 17-04-05
半导体所在柔性自供电多功能电子皮肤研究方面取得新进展 17-03-29
半导体研究所的可见光通信研究成果入选“2016光通信十大技术” 17-03-06
半导体所发表关于二维材料层数相关的光学性质及其在厚度确定方面的综述论文 17-01-09
中科院半导体所研制出GaN基紫外激光器 16-12-22
2017年拟推荐国家技术发明奖项目材料公示 17-01-03
2017年拟推荐国家自然科学奖项目材料公示 17-01-03
半导体所在二维β-Cu2S的相变研究上取得新进展 16-12-13
半导体所在高质量InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列外延生长研究方面取得... 16-12-07
半导体所等在纳米点棒异质结的超低频拉曼光谱研究取得重要进展 16-11-28
半导体所研制出高效平面异质结钙钛矿太阳能电池 16-11-16
半导体所揭示了铜、银等金属在共价型和离子型半导体材料中的异常扩散机理 16-10-24
半导体所超晶格实验室在一维/二维异质结研究上取得新进展 16-09-29
半导体所实现了半导体中光学声子的可分辨边带拉曼冷却 16-09-08
半导体所揭示了半导体界面电荷转移机理 16-08-18
半导体所在Si衬底上生长Ga基半导体纳米线方面取得重要进展 16-06-01
半导体所等在各向异性二维材料物性研究方面取得系列进展 16-04-19
共10页  首页上一页12345下一页下5页尾页
关于我们
下载视频观看
联系方式
通信地址

北京市海淀区清华东路甲35号（林大北路中段） 北京912信箱 (100083)

电话

010-82304210/010-82305052(传真)

E-mail

semi@semi.ac.cn

交通地图
友情链接
中华人民共和国科学技术部
中国科学院
中国工程院
国家自然科学基金委员会
中国科学院大学
中国科学技术大学
中国科学院科技产业网
版权所有 中国科学院半导体研究所

备案号：京ICP备05085259-1号 京公网安备110402500052 中国科学院半导体所声明