半导体所等在莫尔异质结层间激子研究方面取得进展
半导体所等在手性分子产生自旋极化研究中取得新进展
半导体所在高功率、低噪声量子点DFB单模激光器研究方面取得重要进展
半导体所在硅基外延量子点激光器研究方面取得重要进展
半导体所在非互易光学介质几何理论方面取得进展
半导体所在氮化物材料外延研究中取得新进展
半导体所在硅上In线的光致相变机理中取得新进展
半导体所发现亚铁磁自旋调控新机理
半导体所成功研制一款极低电压低抖动低功耗频率综合器芯片
半导体所在激子-声子的量子干涉研究方面取得进展
官方微信
友情链接

半导体所成功研制1.8 W高功率碳纳米管被动锁模激光器

2011-09-29

具有高峰值功率和脉冲能量的被动锁模激光器广泛应用在激光通讯、远程遥感和非线性光学等领域。近年来,单壁碳纳米管可饱和吸收体由于具有波较宽的波长覆盖范围、制备成本低、制作过程简单等优点,成为超快激光领域的研究热点。

为了获得高功率锁模激光,半导体所全固态光源实验室采用垂直蒸发方法制作的碳纳米管可饱和吸收体。为了减小激光晶体的热负载,使用880 nm LD泵浦源。当泵浦功率11.8 W时,获得1.8 W高功率连续锁模激光输出,光光转换效率为15.3%。重复频率和脉冲宽度分别为90 MHz和15 ps。锁模激光的单脉冲能量为20 nJ,峰值功率为1.3 kW。

该实验展示了碳纳米管可饱和吸收体在高功率超短脉冲激光产生中的巨大应用潜力。

 

图1 锁模脉冲波形图



关于我们
下载视频观看
联系方式
通信地址

北京市海淀区清华东路甲35号(林大北路中段) 北京912信箱 (100083)

电话

010-82304210/010-82305052(传真)

E-mail

semi@semi.ac.cn

交通地图
版权所有 中国科学院半导体研究所

备案号:京ICP备05085259-1号 京公网安备110402500052 中国科学院半导体所声明