应半导体所半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究员的邀请，2018年5月25日上午，复旦大学物理系主任沈健教授来半导体所进行学术交流，并在“黄昆半导体科学技术论坛”上作第319期报告。

沈健教授的报告题目为“氧化物的复杂磁畴结构：物理起源及其器件应用”。他从最基本的原理出发，系统分析比较了普通磁性材料和磁性氧化物体系中磁畴结构的物理描述。沈健教授特别指出，前者通常可以用Landau-Lifshitz自由能来描述，而对于后者则恰恰相反。这是因为在磁性氧化物体系中存在多种相互作用竞争，复杂的磁畴结构涉及的机制已经超出了Landau-Lifshitz自由能的适用范围。随后，沈健教授以典型的庞磁阻锰氧化物为例，通过丰富和精美的实验数据展示了其包含铁磁和反铁磁等多种不同磁性态的复杂磁畴结构。沈健教授研究组通过先进的实验手段实现了对锰氧化物空间尺寸、化学掺杂元素空间排列的精密控制，成功揭示上述现象的物理机制。基于此，他们还实现了复杂磁畴结构的空间排列调控，并利用它们成功构筑了集多值存储与逻辑运算为一体的非冯诺伊曼自旋电子原型器件。

在提问和讨论环节，沈健教授与在座的老师及博士和硕士研究生进行了热烈的讨论和交流。特别地，他对锰氧化物器件地尺寸效应和边缘态等进行了精辟的阐述，使大家受益匪浅。报告结束后，半导体所赵建华研究员、常凯研究员和姬扬研究员等超晶格室部分科研人员与沈健教授进行了更深入的交流和讨论。