应半导体所半导体超晶格实验室牛智川研究员的邀请，2023年8月14日下午，英国谢菲尔德大学的John P.R. David教授来半导体所进行学术交流，并在“黄昆半导体科学技术论坛”上作第368期报告。

交流会上，John P.R. David教授作了题为“The Development of Low Noise Avalanche Photodiodes”的学术报告，系统地介绍了锑化物雪崩光电二极管的研究进展，对锑基III-V族半导体化合物低过剩噪声因子特性进行了精辟的阐述，发表了自己独到的见解，并与在座的40余名博士和硕士研究生进行了热烈的讨论和交流，使大家受益匪浅。

此外，半导体所牛智川研究员与John P.R. David教授进行了座谈，感谢John P.R. David教授在百忙之中来半导体所作学术报告并进行学术交流，希望双方能进一步加强合作，不断促进半导体所与谢菲尔德大学的友好合作关系。