2015年7月7日下午，由中国科学院半导体研究所、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司联合共建的“云南临沧鑫圆锗业股份有限公司-中国科学院半导体研究所光电半导体材料联合实验室”签约及揭牌仪式在昆明举行。 

　　云南省科技厅厅长龙江参加签约及揭牌仪式。云南临沧鑫圆锗业股份有限公司董事长包文东、中科院半导体所所长李树深分别代表云南临沧鑫圆锗业股份有限公司和中国科学院半导体研究所揭牌。云南临沧鑫圆锗业股份有限公司项目经理赵燕、中国科学院半导体研究所研究员惠峰分别代表各自单位签署协议。 

　　云南临沧鑫圆锗业股份有限公司，是集锗矿采选、冶金、精深加工及研发为一体高新技术企业。云南锗业在昆明国家高新区形成了年产30万片4英寸太阳能用锗晶片生产线和年产120万片2-4英寸砷化镓单晶片生产线的产业化规模。生产的锗单晶片、砷化镓单晶片被国内外客户广泛应用于航空航天、太阳能电池和地面聚光光伏电站等高科技领域。半导体所长期致力于半导体单晶材料生长技术及应用研究，在单晶生长技术、材料性能表征与分析、器件研发等方面积累了丰富的经验。双方将在此合作平台基础上推进光电半导体材料的研发，满足国内外光电子、微电子半导体产业的高速发展。建设一支由双方尖端人才共同组成的技术团队，积极推进云南省昆明市产业升级。 

　　 “云南临沧鑫圆锗业股份有限公司-中国科学院半导体研究所光电半导体材料联合实验室”每年入所运行费50万元。这次合约的签署，将促进科技与经济更加紧密地结合，共同开发高质量光电半导体单晶批量生产技术，满足光电子、微电子半导体器件制造技术的市场需求。 

　　参加签约仪式的还有云南省科技厅郭虹处长、陈宏处长、张继红处长；云南省发展和改革委员会王芸处长；云南省工业和信息化委员会李燕处长；昆明市科技局刘燕琨局长；昆明市工业和信息化委员会陈浩主任；中科院昆明分院科技与教育处戴开结处长；云南大学兰尧中处长；半导体所成果管理与转化处处长樊志军；云南临沧鑫圆锗业股份有限公司吴红平副总经理、李红斌副总经理、米家蓉副总经理等，还有来自云南理工大学和云南师范大学的代表，参会代表分别进行了发言。