由英国牛津仪器公司(Oxford Instruments, Plasma-technology)主办、中科院半导体研究所协办的“纳米尺度等离子体工艺”研讨会于2013年5月14日在北京中关村皇冠假日酒店举行。

来自中科院、国家纳米中心、北京大学、清华大学，以及航天技术领域的用户150多人参加了会议。报告内容涉及原子层沉积(ALD)、MEMS深硅和纳米低温ICP刻蚀、III-V族ICP刻蚀、GaN/蓝宝石/AlGaInP刻蚀、离子束刻蚀与沉积、3D封装、HBLED制造等目前的热点领域。半导体所的杨富华研究员和王晓东研究员分别作了技术报告。