6月13日上午，美国AT&T公司贝尔实验室半导体研究所的卓以和教授在参加中国科学院第十六次院士大会期间访问了中科院半导体研究所。半导体所所长李树深会见了卓教授，并代表中科院半导体所致欢迎词，对卓教授的来访表示最热烈的欢迎。参加会见的还有半导体所副所长陈弘达、科技开发处处长郑婉华以及部分科研人员及研究生。

　  卓以和教授是国际上公认的分子束外延、人工微结构材料生长和新型器件研究领域的奠基人与开拓者。对Ⅲ－V族化合物半导体、金属和绝缘体的异质外延和人工结构的量子阱、超晶格及调制掺杂微结构材料系统地开展了大量先驱性的研究工作。用研制的新材料，最先研究成功10多种极为重要的、性能优异的新型微波高速电子器件和光电子器件。领导Bell实验室半导体研究所的合作者，开创性地研制成功量子阱级联式新型激光器，被认为是半导体激光器发展中的又一个里程碑。卓教授先后当选为美国科学院院士(1985)、美国工程院院士(1985)、美国科学与艺术院院士(1989)，1996年6月7日当选为中国科学院外籍院士。

　  卓以和教授认真听取了半导体所牛智川研究员、赵建华研究员、中科院物理所王禄研究员、北京大学王新强教授和清华大学郝智彪教授的报告，并一一做了点评和具体指导，提出了中肯建议。卓以和教授表示，我们国家提倡自主创新，胡主席在讲话中也强调了科技创新对推动我们国家各方面发展的重要作用，我们科技工作者有责任让我们的国家变得更加强大!随后同中青年科学家和研究生针对MBE技术的新进展和激光器在生物、医学领域的新应用进行了座谈研讨,使大家都受益匪浅。