应半导体所王占国院士和徐波研究员邀请，2011年10月26～27日，法国国家科学研究中心/南锡大学的Stéphane Mangin教授和陆沅博士来半导体所进行学术交流访问。Stéphane Mangin教授是法国南锡大学Jean Lamour研究所纳米磁性和自旋电子学实验室的主任，在半导体薄膜及纳米结构的磁学和自旋性质研究方面有深厚造诣；陆沅博士近期在砷化镓基发光二极管的磁性隧道结自旋注入和硅材料的热电子自旋注入研究方面取得了令人瞩目的成果。

陆沅博士26日上午在所学术会议中心作了题为“Spin Injection in Semiconductors”的学术报告。系统、详细地介绍了半导体自旋注入的基本原理，及其实验室在通过MgO势垒由铁磁金属向GaAs中进行自旋注入和采用热电子注入方法在Si材料中实现自旋输运两方面的研究工作，与大家分享自己的科研经验和体会，并就听众提出的问题进行了详尽的回答与讨论。

Stéphane Mangin教授和陆沅博士还参观了半导体材料科学重点实验室，以及超晶格、集成光电国家重点实验室的部分实验室，与相关的老师和研究生们进行了广泛的讨论和交流，为进一步开展深入的国际合作研究打下了良好的基础。