半导体所集成技术中心召开年度中期工作报告会
2011-09-02
2011年7月22日半导体所集成技术中心在3号楼320会议室召开年度中期报告会。二十多名中心职工报告了上半年的工作情况,包括光刻、电子束光刻、刻蚀、介质膜溅射、金属蒸发退火等等一系列技术进展,相关同志还对承担的国家科技项目和对外加工项目做了汇报。杨富华主任对每一位职工的辛勤工作做了点评。他很高兴通过本次报告会看到大家的进步。他指出只要集成技术中心每一位同志充分发挥自己的能动性,技术上多动脑筋,不仅有能力做到国内领先水平,而且一定能够产生达到国际先进水平的技术亮点。