应半导体所集成技术中心主任杨富华研究员的邀请， 2011年4月25日上午，美国IBM Thomas J. Watson研究中心的Qinghuang Lin教授来半导体所进行学术交流，并在“黄昆半导体科学技术论坛”上作第141期报告。

来访期间，Qinghuang Lin博士作了题为“Patternable Low-κ Dielectric Materials for “Greener” Semiconductor Manufacturing”的学术报告，系统地介绍了在集成电路芯片上的多层铜互连工艺的发展，对能够固化的一种图形化的光刻胶（PPLK）应用于铜互连的新工艺进行了精辟的阐述，发表了自己独到的见解，并与在座的30余名博士和硕士研究生进行了热烈的讨论和交流，使大家受益匪浅。

此外，半导体所集成技术中心的研发人员季安研究员、韩伟华研究员、王晓东研究员、樊中朝副研究员和王晓峰副研究员与Qinghuang Lin博士进行了座谈，大家感谢他在百忙之中来半导体所作学术报告并进行学术交流，希望双方能进一步加强合作，不断促进我所与IBM公司的友好合作关系。