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IBM Thomas J. Watson研究中心Qinghuang Lin博士来半导体所交流

2011-04-25

应半导体所集成技术中心主任杨富华研究员的邀请, 2011年4月25日上午,美国IBM Thomas J. Watson研究中心的Qinghuang Lin教授来半导体所进行学术交流,并在“黄昆半导体科学技术论坛”上作第141期报告。

来访期间,Qinghuang Lin博士作了题为“Patternable Low-κ Dielectric Materials for “Greener” Semiconductor Manufacturing”的学术报告,系统地介绍了在集成电路芯片上的多层铜互连工艺的发展,对能够固化的一种图形化的光刻胶(PPLK)应用于铜互连的新工艺进行了精辟的阐述,发表了自己独到的见解,并与在座的30余名博士和硕士研究生进行了热烈的讨论和交流,使大家受益匪浅。

此外,半导体所集成技术中心的研发人员季安研究员、韩伟华研究员、王晓东研究员、樊中朝副研究员和王晓峰副研究员与Qinghuang Lin博士进行了座谈,大家感谢他在百忙之中来半导体所作学术报告并进行学术交流,希望双方能进一步加强合作,不断促进我所与IBM公司的友好合作关系。

 



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