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第16届国际超晶格纳米结构与纳米器件会议(ICSNN-2010)征文通知

2010-03-01

第16届国际超晶格纳米结构与纳米器件会议(ICSNN-2010)将于2010年7月18-23日在北京西郊宾馆召开,现在开展征文活动。本次会议国内大陆参会者职工注册费为1000元人民币,学生注册费为500元人民币。
 
  ICSNN自1984年开始每两年召开一次的国际性重要学术活动,一直是“国际半导体物理会议”的卫星会议,会议规模在200-300人左右。今年,ICPS在韩国首尔召开,其卫星会议ICSNN-2010将由半导体超晶格国家重点实验室承办。关于会议的详细情况,请浏览会议主页http://icsnn2010.semi.ac.cn.
 
  本次会议主题涵盖了纳米制备技术, 纳米电子学, 碳纳米管和石墨烯,纳米光子学和量子光学, 半导体纳米自旋电子学,纳米结构中的自旋操控, 太赫兹物理与器件,固态量子信息,新型材料与器件和宽禁带半导体光电性质等半导体物理的重要发展方向。英语为本次会议的大会语言。
 
  会议将组织大会报告、邀请报告、会议交流和新产品宣传和展示等活动。会议将设置SNN青年优秀科学家奖一名和学生最佳墙报奖两名。

  本次会议所有录用的论文将推荐给《半导体学报》(Journal of Semiconductors),经编辑部择优复审合格后,由英国物理学会(IOP)正式出版(半导体学报只接受英文稿件)。极优秀会议论文扩展后经标准学术评审后将在SCI 收录期刊Nanoscale Research Letters(NRL)上发表。只有参加ICSNN会议的论文被考虑在以上两刊物上发表。
 
  会议在全国范围内广泛开展征文活动,真诚希望全国从事纳米结构与纳米器件等相关领域的专家、学者和工程技术人员积极撰写论文,并到会报道报道最新的研究成果和技术进步以及在应用、开发实践中所取得的成绩和宝贵经验。
 
  请在会议网站上下载会议论文摘要模板。摘要截稿日期:2010年4月15日。会议全文截稿日期:2010年7月31日,全文撰写请参考相关刊物的投稿要求。
 
  联系人: 谭平恒
  单 位: 中国科学院半导体研究所
  地 址: 北京市清华东路甲35号半导体所超晶格室,邮 编:100083
  电 话: 010-82304254/13511036486   传 真: 010-82305056
  会议电子邮箱: icsnn2010@semi.ac.cn
  会议网站: http://icsnn2010.semi.ac.cn



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