2010年1月13-14日，由中国有色金属学会主办，中国科学院半导体研究所、国家半导体照明工程研发及产业联盟、苏州市吴中区人民政府和苏州吴中经济开发区联合承办的第十一届全国MOCVD学术会议在苏州隆重召开。来自高等院校、科研机构、相关企业等150余家单位的350余位代表出席了本次会议，其中13家企业在会议举办期间做了现场展示。

郑有炓、王圩、刘颂豪、陈良惠四位院士应邀出席了本次大会并分别做了题为 “III族氮化物白光照明LED发展面临的若干问题”、“MOCVD技术在光电子学和微电子学中的应用”、“纳米光子学研究进展”和“Ⅲ-Ⅴ族半导体全光谱焦平面探测器新进展”的大会特邀报告，对MOCVD相关领域的研究及应用做了高屋建瓴的概括并指明了下一步发展的方向。

本次会议还特别邀请了我国MOCVD相关领域的20多位知名专家就化合物材料生长、器件、应用、MO源及MOCVD装备等方面做了特邀专题报告，充分展示了我国在这些技术领域的最新成果和最新动态，特别是我国在MOCVD设备的研制方面的新进展。虽然我国目前的研发及产业化与国际水平差距还很大，但已有不少单位正在把工艺和设备紧密结合，努力研制开发具有自主知识产权的国产化MOCVD重大装备。

由于半导体照明新兴产业的带动，MOCVD技术及其相关应用得到了前所未有的快速发展。本次会议为我国从事MOCVD技术研发以及相关材料和器件研究的科研人员提供相互了解和交流的机会， 促进与MOCVD相关上中下游产业界的沟通与合作，为进一步加快我国MOCVD技术创新及该技术的推广应用起到了积极的作用。

中国科学院半导体研究所李晋闽所长致欢迎辞

郑有炓院士做大会特邀报告

王圩院士做大会特邀报告

刘颂豪院士做大会特邀报告

陈良惠院士做大会特邀报告

中国科学院半导体研究所王国宏研究员主持开幕式

中国科学院半导体研究所曾一平研究员主持特邀专题报告

第十一届全国MOCVD学术会议现场