2008年11月30日由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办，中山大学光电材料与技术国家重点实验室承办的“第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议”在广州隆重召开。该会议是每两年举行一次的全国性重大学术会议，展示化合物半导体，特别是近年来迅猛发展的宽禁带化合物半导体在材料生长、器件与电路设计、制造工艺及其应用等方面的发展与最新成就，探讨国际上化合物半导体、微波器件和光电器件以及固体薄膜的现状和发展趋势。

    中科院半导体所王占国院士特邀作了题为《激光显示技术的发展现状及趋势》的报告，在报告中详细阐述并探讨了半导体激光器在显示领域的优势，激光显示的核心技术以及近年来国内外的发展现状、市场趋势预测。 中科院半导体所所长李晋闽研究员特邀在大会上作了《半导体照明技术的一些最新进展》的报告，主要在半导体所照明研发中心在大功率LED照明的研究方面，特别是功率型130lm/w LED发光照明， 863国家高技术支持项目的重要研究成果及相关核心技术的最新成就进行了详细深入的分析介绍，。半导体照明办公室吴玲主任应邀作了《中国半导体照明产业发展概况及展望》的大会报告，报告中她肯定了在“十五”国家半导体照明工程启动和863重大项目实施以来在LED外延材料、芯片制造、器件封装、荧光粉等方面所取得的成绩和各项突破，强调了半导体照明产业技术创新已到了非常紧迫的关头，未来任重道远。我所半导体照明研发中心、材料科学中心和纳米光电子实验室部分科研人员参加了会议，科技处处长王晓亮研究员作了题为《SiC衬底AlGaN/GaN HEMT材料和器件》的邀请报告，主要报告并探讨了在材料生长和工艺器件制作方面的一些相关的新进展新成果。半导体所照明研发中心的樊晶美博士，向大家介绍了题为《激光剥离对于GaN外延材料应力的影响》的相关报告，主要汇报了在GaN基LED工艺方面的激光剥离技术的相关实验分析及研究进展。材料中心赵有文研究员作了题为《化学配比对单晶完整性及衬底表面制备的影响》报告。同时报告的还有材料科学中心和纳米光电子实验实的李巍巍、刘文宝、王良吉、唐健、肖红领、董志远、张云霄、赵玲娟等。

    在本次会议日程中，全国各地从事该领域的有关研究、教学、生产的科技人员和管理人员在此学术与技术交流平台，增进经验交流，互相讨论学习，大大促进了该领域的科学技术进步和产业发展。