德国柏林Paul-Drude固体电子学研究所的Uwe. Jahn博士于11月25日来我所访问和学术交流，并在“黄昆半导体科学技术论坛”上作第86期报告，报告题目为“Scanning electron microscope cathodoluminescence of GaN/(Al,Ga)N nanocolumns”，论坛由江德生研究员主持。

    Uwe. Jahn博士在报告中首先概括介绍了扫描电镜(SEM)和阴极荧光 (cathodoluminescence, CL )在半导体材料和纳微结构表征方面的应用和研究现状，以及他们近年来利用低温CL方法对III族氮化物半导体材料和微结构等开展的研究工作，重点介绍了对GaN/(Al,Ga)N纳米柱异质结构进行的研究工作。他们测量单个纳米柱多量子盘结构的发光光谱及其随结构参数的变化，并发现电子束的注入强度会使发光光谱产生兰移。 他们用量子限制效应和斯塔克效应对光谱进行了分析，并计入了注入电子对量子阱中内建电场产生的屏蔽效应，证明沿纳米柱径向存在不同应力状态和极化电场分布，对得到的光谱产生重要的影响。

    我所和兄弟研究所的广大科研人员及研究生参加了报告会，并针对一些热点问题与Uwe. Jahn博士进行了深入的交流。此次论坛对于我所相关领域的科研工作具有重要的借鉴意义。
> /> /> /> /> />