2008年9月19日，首届中日印氮化镓基材料与器件联合研讨会在名古屋胜利召开。此次会议是基于2007年5月由中科院半导体所和日本名古屋工业大学签署的“中日2007年-2012年合作协议”的基础上发起召开的第一届联合研讨会。

    日本名古屋工业大学是会议的主办单位，来自于中科院半导体所、中山大学、日本名古屋工业大学、日本松下公司和印度Anna大学的众多专家和学者参加了研讨会。会议开始前日本名古屋工业大学的松井信行校长、中科院半导体所的李晋闽所长、印度Anna大学的P. M. Jawahar校长在开幕式上分别代表日方、中方和印方的参会代表作了热情洋溢的致辞，并预祝研讨会取得圆满成功。

    此次会议的主要内容包括3个方面：氮化镓基材料的生长和表征；氮化镓基材料相关的光子器件；氮化镓基材料相关的电子器件。李晋闽所长首先做了题目为：“中国固态照明的研究和发展”的大会报告。在报告中，李所长不仅介绍了我国对于促进固态照明产业发展的国家战略部署，而且从衬底、外延、芯片、封装、应用集成到重大装备详细介绍了目前国内固态照明在研发和产业方面取得的一系列进展和成果。最后，李所长将第29届奥运会成功应用固态照明技术的相关图片向与会代表作了展示，报告引起了参会专家们的浓厚兴趣。接下来，我所王晓亮研究员、王军喜研究员、闫发旺副研究员、段瑞飞副研究员和伊晓燕博士等青年学者分别作了精彩的报告，详细介绍了我所在图形衬底外延技术、高效大功率LED开发、深紫外LED研发等方面取得的显著成绩。会后，我所李晋闽所长与名古屋工业大学松井信行校长针对接下来三年的合作规划进行了充分的交流，双方对于今后互补、互利的合作都给予了高度的重视。按照约定，中科院半导体所将于2009年在北京主办第2届联合研讨会。值得一提的是，印度Anna大学的校长和国际事务科的科长在会议期间多次表达了与我所开展合作的强烈愿望。

    此次会议使中日印参会代表进一步增进了了解，并由此产生了新的合作意愿和计划。参会各方非常满意，将继续在相关材料和器件的研发方面做到优势互补的合作。