2006年10月30-31日，中科院半导体研究所举办了“首届中俄《先进半导体材料与器件》联合研讨会”。此次会议是基于2005年9月，由俄科院无机化学研究所和中科院半导体研究所签署的“中俄双边2005－2008合作协议”的基础上，发起召开的第一届双边联合研讨会。会议由半导体研究所主办，梁骏吾院士、陈立泉院士和俄科院无机化学所F. A. Kuznetsov院士担任研讨会主席。

    俄科院无机化学所、约飞技术物理研究所、莫斯科大学以及俄科院物理和材料科学研究所的15名专家学者和半导体研究所的专家和研究生们以及物理研究所的部分专家共50余人参加了研讨会。俞育德副所长代表主办单位半导体研究所对对参会的专家学者表示热烈的欢迎，并预祝研讨会取得圆满成功。

    此次会议的主要内容包括3个方面：光伏材料与器件、宽禁带半导体材料与器件、Si基半导体材料与器件。会议期间中俄双方科研人员围绕半导体材料提纯和加工、硅基太阳能电池的基础研究，化合物聚光太阳能电池的发展，表面物理与纳米材料研究、硅基光电子器件和SiC材料和功率器件等多个方面进行了学术交流。会议学术期间俄方作了11个报告，中方作了9个报告，充分反映了双方当前的研究热点，同时也探讨了进一步合作的可能性。

    会议期间俄方代表团参观了半导体材料重点实验室，表面物理重点实验室和半导体材料中心。参观后，中国的国立研究所,国家实验室的规模,研究水平和成果都给俄罗斯科学家留下了深刻的印象。

    此次会议使中俄参会代表进一步增进了了解，并由此产生了新的合作意愿和计划。参会各方非常满意，将继续在相关材料和器件的研发方面做到优势互补的合作。