第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
2006-06-19
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
征文通知(第二轮)
一、 主办单位：中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会
二、 承办单位：中国科学院半导体研究所
三、 会议时间：2006年11月4日至11月10日
四、 会议地点：广西壮族自治区北海市。
五、 参观考察：会议期间将组织在北海市本地和到越南的参观考察活动。
六、 征文内容：
1、 GaAs、InP等化合物半导体材料、微波器件及光电器件；
2、 宽带隙化合物半导体(GaN、SiC和ZnO等)材料、性质及器件应用；
3、 硅基异质结构材料(如GeSi/Si、GaN/Si等)制备、器件及其光电集成技术；
4、 纳米(低维)半导体材料、性质及量子器件；
5、 磁性半导体材料的制备、性质及器件应用；
6、 化合物半导体微波器件和微波集成电路的设计、制造工艺和测试；
7、 化合物半导体光电器件和光电集成电路的设计、制造工艺和测试；
8、 化合物半导体微波器件及光电器件制造的其它相关技术，如耦合封装等；
9、 化合物半导体微波器件和光电器件的可靠性和失效分析；
10、 化合物半导体微波器件和光电器件及系统的应用；
11、 新型化合物半导体材料制备、性质及器件应用；
12、 化合物半导体材料的微结构、表面、界面行为以及生长动力学研究；
13、 化合物半导体和薄膜材料的先进生长设备和测试分析仪器研制；
14、 化合物半导体和器件制备相关的基础材料(如金属有机源、高纯金属源、高纯工艺气体等)；
15、化合物半导体和薄膜材料的表征和测试分析技术；
16、 半导体白光照明材料、器件及应用技术；
17、 其它(如稀土、有机半导体等)半导体材料、性质及器件应用；
18、化合物半导体敏感材料、制备、表征及应用；
19、化合物半导体微、纳电子及光电子器件制造、表征及应用。
七、 论文要求：
1、 论文要力求反映国内外最新研究方向和成果，要主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位，且尚未在国内外公开刊物或其它学术会议上发表过。
2、除印刷会议文集外，本次会议征集到的优秀稿件将收入到国家一级刊物《半导体学报》。为保证质量，希望投稿者务必严格按照论文格式要求撰写。论文一律采用 A4纸隔行激光打印。打印顺序为：题目用3号黑体字，作者用4号字，单位、邮编、电子信箱、摘要、关键词等用6号字，正文用5号字。字体除题目外统一用宋体，版芯尺寸为140x215mm2，包括图表在内每篇论文不超过4页(补充要求见附件2：第十四届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议论文格式)。
3、 请提供激光打印的纸质论文一式两份，供评审用；并提供用Word编辑的与所提供纸质论文内容格式一致的电子版论文(要求可编辑)，同时发到以下(见联系人)两个电子邮箱。请自留底稿，不论录用与否原稿一律不退。为方便联系，请随稿提供email地址。
八、 征文截止日期：
1、论文提交截止日期：2006年 7月31日。
2、论文录用通知：2006年9月中旬。
九、 论文邮寄地址：
北京市912信箱中科院半导体研究所 曲胜春 肖红领 王翠梅 收，邮编100083。为确保安全，请挂号邮寄。我们收到论文后将通过电子邮件发送收到回执，未收到回执者，请尽快与会务组联系。
十、 联系人和会议网址：
联系人：曲胜春、肖红领 王翠梅
电话：010-82304240、010-82304101
传真：010-82304232
Email: cmwang@red.semi.ac.cn
qsc@red.semi.ac.cn
会议网址：为了便于信息沟通，本次会议建立了会议网页，随时发布和会议有关的最新信息，欢迎光临访问浏览。会议网址为： http://159.226.228.2/bdt/index.htm
十一、 参会回执
为了更好的开展筹备工作，请参会人员配合我们填写参会回执(见附件3)，在2006年7月31日前寄至会议筹备组。
大会筹备组热忱欢迎您的到来；同时也真诚希望得到您的大力支持与帮助。
附件：
附件1：第十四届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议日程安排
附件2：第十四届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议论文格式
附件3：第十四届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议参会回执
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议筹委会
2006年6月15日
征文通知(第二轮)
一、 主办单位：中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会
二、 承办单位：中国科学院半导体研究所
三、 会议时间：2006年11月4日至11月10日
四、 会议地点：广西壮族自治区北海市。
五、 参观考察：会议期间将组织在北海市本地和到越南的参观考察活动。
六、 征文内容：
1、 GaAs、InP等化合物半导体材料、微波器件及光电器件；
2、 宽带隙化合物半导体(GaN、SiC和ZnO等)材料、性质及器件应用；
3、 硅基异质结构材料(如GeSi/Si、GaN/Si等)制备、器件及其光电集成技术；
4、 纳米(低维)半导体材料、性质及量子器件；
5、 磁性半导体材料的制备、性质及器件应用；
6、 化合物半导体微波器件和微波集成电路的设计、制造工艺和测试；
7、 化合物半导体光电器件和光电集成电路的设计、制造工艺和测试；
8、 化合物半导体微波器件及光电器件制造的其它相关技术，如耦合封装等；
9、 化合物半导体微波器件和光电器件的可靠性和失效分析；
10、 化合物半导体微波器件和光电器件及系统的应用；
11、 新型化合物半导体材料制备、性质及器件应用；
12、 化合物半导体材料的微结构、表面、界面行为以及生长动力学研究；
13、 化合物半导体和薄膜材料的先进生长设备和测试分析仪器研制；
14、 化合物半导体和器件制备相关的基础材料(如金属有机源、高纯金属源、高纯工艺气体等)；
15、化合物半导体和薄膜材料的表征和测试分析技术；
16、 半导体白光照明材料、器件及应用技术；
17、 其它(如稀土、有机半导体等)半导体材料、性质及器件应用；
18、化合物半导体敏感材料、制备、表征及应用；
19、化合物半导体微、纳电子及光电子器件制造、表征及应用。
七、 论文要求：
1、 论文要力求反映国内外最新研究方向和成果，要主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位，且尚未在国内外公开刊物或其它学术会议上发表过。
2、除印刷会议文集外，本次会议征集到的优秀稿件将收入到国家一级刊物《半导体学报》。为保证质量，希望投稿者务必严格按照论文格式要求撰写。论文一律采用 A4纸隔行激光打印。打印顺序为：题目用3号黑体字，作者用4号字，单位、邮编、电子信箱、摘要、关键词等用6号字，正文用5号字。字体除题目外统一用宋体，版芯尺寸为140x215mm2，包括图表在内每篇论文不超过4页(补充要求见附件2：第十四届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议论文格式)。
3、 请提供激光打印的纸质论文一式两份，供评审用；并提供用Word编辑的与所提供纸质论文内容格式一致的电子版论文(要求可编辑)，同时发到以下(见联系人)两个电子邮箱。请自留底稿，不论录用与否原稿一律不退。为方便联系，请随稿提供email地址。
八、 征文截止日期：
1、论文提交截止日期：2006年 7月31日。
2、论文录用通知：2006年9月中旬。
九、 论文邮寄地址：
北京市912信箱中科院半导体研究所 曲胜春 肖红领 王翠梅 收，邮编100083。为确保安全，请挂号邮寄。我们收到论文后将通过电子邮件发送收到回执，未收到回执者，请尽快与会务组联系。
十、 联系人和会议网址：
联系人：曲胜春、肖红领 王翠梅
电话：010-82304240、010-82304101
传真：010-82304232
Email: cmwang@red.semi.ac.cn
qsc@red.semi.ac.cn
会议网址：为了便于信息沟通，本次会议建立了会议网页，随时发布和会议有关的最新信息，欢迎光临访问浏览。会议网址为： http://159.226.228.2/bdt/index.htm
十一、 参会回执
为了更好的开展筹备工作，请参会人员配合我们填写参会回执(见附件3)，在2006年7月31日前寄至会议筹备组。
大会筹备组热忱欢迎您的到来；同时也真诚希望得到您的大力支持与帮助。
附件：
附件1：第十四届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议日程安排
附件2：第十四届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议论文格式
附件3：第十四届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议参会回执
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议筹委会
2006年6月15日
