第十一届半导体缺陷识别、成像与物理国际学术会议(DRIP-XI 2005)于2005年9月15日至19日在中国北京香山饭店举行。半导体缺陷识别、成像与物理国际学术会议在国际半导体研究领域具有非常重要的影响，对于促进我国与国际半导体材料学术界交流、扩大半导体所在国际半导体材料研究领域的影响具有非常重要的意义。此次两年一次的国际性学术会议是在半导体缺陷领域最具权威的会议之一。自1985年在法国举办以来已经举办了10届，2005年首次在中国举办，并由中科院半导体所主办，王占国院士任此次会议的主席。在开幕式上李晋闽所长代表主办单位领导致欢迎词。

    半导体工业的进步是随着半导体材料研究的不断深入而发展的，而这两者的进展却都与人们对半导体中缺陷的认知和理解有着不可割断的天然联系。半导体产业的发展是随着人们对于半导体中缺陷的深入理解而持续发展的。DRIP会议的举办为各国研究半导体材料(硅、III-V族半导体、SiC、IV-IV、II-VI、有机半导体等等)中缺陷的学者提供了一个相互交流和探讨的机会。会议的主要内容则是缺陷认知的方法、测量的物理过程以及随之而发展的仪器和它们与缺陷结构、光电特性之间的联系。目前，其认知的趋势倾向于小尺寸和低维系统中的缺陷，当然，这其中也包含传统的光学成像和光谱研究。对于缺陷图像、材料的光电特性和器件实际性能之间的联系则是这一会议的主旨所在。与会代表就以下议题进行了学术交流和讨论。

    1、纳米探针(STM、AFM、SNOM、弹道电子能谱等)研究原子尺寸缺陷；

    2、二维/三维亚微米缺陷光学图像(传统显微镜、共聚焦显微镜等)；

    3、光谱技术(荧光光谱、喇曼光谱等)；

    4、无接触电子测量技术；

    5、电子成像(SEM、TEM、EBIC、CL)；

    6、X射线成像；

    7、大直径硅片缺陷扫描成像；

    8、光电子器件中缺陷分析；

    9、各种技术之间的比较；

    10、原位观测与控制。

    出席此次会议的有来自德国、美国、英国、荷兰、日本、比利时、捷克、澳大利亚、冰岛、孟加拉国、伊拉克、乌克兰、中国等27个国家的一百余名国内外代表，其中包括约八十余名海外地区代表，会议有13个邀请报告，48个口头报告，另外还有64个墙报，将成为该系列国际会议中规模最大的一次。大会评选青年优秀论文奖1名，颁发了证书、奖金。

    第十一届半导体缺陷识别、成像与物理国际学术会议(DRIP-XI 2005)得到了半导体所和国家自然科学基金委员会、中国科学院以及一些大学和公司的支持。