十一期半导体科学技术论坛于2005年9月19日下午3：00在半导体所学术会议中心举行。

    应半导体所杨辉研究员和江德生研究员的邀请， 德国柏林Paul Drude固体电子学研究所的Bernd Jenichen博士做了题为《Structural properties of MnAs epitaxial layers on GaAs》的专题报告。

    Jenichen博士的研究小组近年来利用同步辐射x光源对分子束外延生长过程进行实时观测和分析，作了大量开创性的研究工作，取得了丰硕的成果。在这次报告中，他主要介绍了他们在柏林同步辐射中心进行x射线实时衍射实验所用设备的设计和测量技术； 采用掠入射衍射测量技术，在GaAs上生长MnAs时和生长后对超薄层结构的横向晶格参数，畴结构和失配位错开展的研究工作； 以及对不同取向衬底上生长的MnAs薄膜的结构性质和相变等问题研究的新结果。利用MnAs/GaAs 异质结结构有可能实现在半导体中的自旋电子注入，深受大家重视。Jenichen博士在报告中以简练而生动的语言对这些前沿领域的研究工作做了深入介绍和探讨， 对我所在相关领域的研究工作具有很大的启发。

    半导体研究所及其他研究所和高校的研究人员和研究生们参加了报告会，并进行了热烈的讨论和交流。