中国科学院半导体研究所

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获奖时间	获奖名称	获奖类别	获奖等级
1989年	双束合成低能离子束外延实验机	中科院科技进步奖	三等奖
1989年	电子级气体SJ2794~2797-87电子级气体中颗粒和痕量杂质测定方法SJ2798~2804.1-87 SJ2805~2807-87	机电部科技进步奖	二等奖
1988年	掺氮中子擅变区熔硅单晶的制备	中科院科技进步奖	一等奖
1988年	DMF－1型大幅度矩形纳秒脉冲发生器	中科院科技进步奖	二等奖
1988年	离子色谱在半导体工业中的应用	中科院科技进步奖	三等奖
1988年	单层金属工艺条件下高密度布线设计	中科院科技进步奖	三等奖
1987年	二、三、四毫米波段硅肖特基势垒二极管	国家科学技术进步奖	二等奖
1987年	1.3微米基横模、低阈值、长寿命激光器	国家科学技术进步奖	二等奖
1987年	长波长光探测器件及光发射器件	国家科学技术进步奖	二等奖
1987年	硅单晶次缺陷图集	北京市科技进步奖	二等奖
1987年	LSIS－II自动布图设计系统	中科院科技进步奖	一等奖
1987年	共腔双区（CCTS）DH双稳激光器研究	中科院科技进步奖	二等奖
1987年	分子束外延高质量GaAs-GaAlAs材料研究	中科院科技进步奖	二等奖
1987年	抗辐照SOS－CMOS集成电路	中科院科技进步奖	二等奖
1987年	GaAs/GaAlAs负阻激光器电学、光学特性综合研究	中科院科技进步奖	三等奖
1987年	匀相位半导体激光器及相位测试设备	中科院科技进步奖	三等奖
1987年	GaAs/GaAlAs量子阱光学性质研究	中科院科技进步奖	三等奖
1986年	二、三、四毫米硅肖特基势垒二极管检测器	中科院科技进步奖	一等奖
1986年	GaP中N和N和Ni对束缚激子压力行为的研究	中科院科技进步奖	一等奖
1986年	1.3μm单模低阈值、长寿命激光器的研制	中科院科技进步奖	二等奖
1986年	水平法低位错GaAs的单晶	中科院科技进步奖	二等奖
1986年	提高高纯水质量的研究	中科院科技进步奖	二等奖
1986年	兼容宏单元多元胞模式自动布局和四边通道布线算法	中科院科技进步奖	三等奖
1986年	多元电路万能函数发生器	中科院科技进步奖	三等奖
1986年	高压液封法生长热稳定不掺杂半绝缘GaAs	中科院科技进步奖	三等奖
1986年	GaAs表面和介面性质对毫米波器件性质的影响	中科院科技进步奖	三等奖
1986年	二、三毫米硅雪崩振荡器	中科院科技进步奖	三等奖
1986年	N+NP+型InGaAs/InP异质结构PIN光电探测器	中科院科技进步奖	三等奖
1986年	分子束外延GaAs-GaAlAs多量子阱超晶格材料制备的特性	中科院科技进步奖	三等奖
1986年	高速双向负阻晶体管	中科院科技进步奖	三等奖
1986年	砷化镓霍尔器件	中科院科技进步奖	三等奖
1986年	固体化高压毫微秒脉冲电源	中科院科技进步奖	三等奖
1985年	分子束外延技术的研究	国家科学技术进步奖	二等奖
1985年	提高砷化镓材料质量的研究	国家科学技术进步奖	二等奖
1985年	光纤通信用短波长发射器件和探测器件	国家科学技术进步奖	二等奖
1985年	可控电参数的低位错磷化铟单晶制备	国家科学技术进步奖	三等奖

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