得益于丰富的硅资源及可接受的效率，硅太阳能电池持续在市场上占据主导地位。本征薄层异质结（HIT）结构是目前制备硅太阳能电池的主导技术。提高这类电池的效率可以拓宽HIT太阳能电池开发的选择范围。本文对p型双面HIT太阳能电池的发射极a-Si:H(n)层的特征参数进行了详细研究，包括薄层的掺杂浓度、厚度、带隙宽度、电子亲和性、空穴迁移率等。太阳能电池的构成如下：(ZnO/nc-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/nc-Si:H(p)/ZnO)。研究结果揭示了特征参数的最佳值，并通过计算得到仅从顶部辐照时的最高效率为26.45%，而仅从背面辐照时的最高效率为21.21%。

该文章以题为“Emitter layer optimization in heterojunction bifacial silicon solar cells”发表在Journal of Semiconductors上。

图1. 蚀刻4H-SiC样品的代表性OM图像。在蚀刻图中标注了掺杂剖面和蚀刻时间。

文章信息：

Emitter layer optimization in heterojunction bifacial silicon solar cells

Adnan Shariah, Feda Mahasneh

J. Semicond. 2022, 43(12): 122701 doi: 10.1088/1674-4926/43/12/122701

Full Text: http://www.jos.ac.cn/en/article/doi/10.1088/1674-4926/43/12/122701

来源：半导体学报