激子极化激元拓扑绝缘体
微电子所在8寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗(TSGOI)晶圆
偏振不敏感高可见度绝缘体上硅量子干涉仪的设计
李开复:现在是芯片爆发好时机 因传感器光学等可用
聚合物LED达到纳米级尺寸
上海光机所在计算成像研究方面取得新进展
宁波材料所在钙钛矿电池稳定性方面取得进展
基于超颖表面的多谐波自由电子光源
合肥研究院在中红外Er3+掺杂激光晶体研究方面获进展
具有深度学习网络的多模光纤传输
官方微信
友情链接
激子极化激元拓扑绝缘体 18-11-15
微电子所在8寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗(TSGOI)晶圆 18-11-15
偏振不敏感高可见度绝缘体上硅量子干涉仪的设计 18-11-15
李开复:现在是芯片爆发好时机 因传感器光学等可用 18-11-15
聚合物LED达到纳米级尺寸 18-11-08
上海光机所在计算成像研究方面取得新进展 18-11-08
宁波材料所在钙钛矿电池稳定性方面取得进展 18-11-08
基于超颖表面的多谐波自由电子光源 18-11-08
合肥研究院在中红外Er3+掺杂激光晶体研究方面获进展 18-11-02
具有深度学习网络的多模光纤传输 18-11-01
量子光学走向超表面材料时代 18-11-01
《2018研究前沿》发布 18-10-25
上海高研院在量子相干研究中取得进展 18-10-25
理论物理所在量子色动力学的两圈解析计算研究中取得进展 18-10-25
当AIE遇见OLEDs:材料分子结构调控实现蓝光器件性能提升 18-10-25
大连化物所等在柔性钙钛矿单晶薄片研究中取得进展 18-10-18
基于荧光碳纳米材料的高带宽可见光通讯器件研究取得进展 18-10-18
OLED可集成至纺织品 或将开辟全新应用领域 18-10-18
“光”尽其用——双发射蓝光激基复合物主体实现高效全辐射白光OLED 18-10-18
纪念集成电路发明60周年学术会议在京举行 18-10-15
关于我们
下载视频观看
联系方式
通信地址

北京市海淀区清华东路甲35号 北京912信箱 (100083)

电话

010-82304210/010-82305052(传真)

E-mail

semi@semi.ac.cn

交通地图
版权所有 ? 中国科学院半导体研究所

备案号:京ICP备05085259号 京公网安备110402500052 中国科学院半导体所声明