碳化硅(SiC)材料具有带隙宽、临界击穿场强度高的特点，对电力电子设备的高效、小型化起着重要的作用。碳化硅是新型电力电子设备的理想选择，在中高压领域，尤其是智能电网和高速列车，阻断电压大于6.5 kV的SiC器件将有广泛的应用。本文研究了外延材料对6.5 kV SiC MOSFET静态特性的影响，在三个晶圆上制备了不同沟道长度和不同JFET区域宽度的6.5 kV SiC MOSFET，并对其进行了分析。完成了栅氧化物的FN隧穿及器件HTGB和HTRB试验，为中高压SiC MOSFET的产业化提供了数据支持。

图1. 电流密度和阻塞电压随掺杂浓度和外延层厚度的变化而变化。

文章信息：

Influence of epitaxial layer structure and cell structure on electrical performance of 6.5 kV SiC MOSFET

Lixin Tian, Zechen Du, Rui Liu, Xiping Niu, Wenting Zhang, Yunlai An, Zhanwei Shen, Fei Yang, Xiaoguang Wei

J. Semicond. 2022, 43(8): 082802

doi: 10.1088/1674-4926/43/8/082802

Full Text: http://www.jos.ac.cn/en/article/doi/10.1088/1674-4926/43/8/082802

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