衰减器（及移相器）是相控阵应用的核心器件，主要完成信号的幅相控制，实现波束合成，在雷达、5G毫米波通信等领域有着非常广泛的应用。传统的衰减器大都采用化合物（主要是GaAs）工艺实现，而基于硅基的幅相控制芯片是近几年国内外学术界和工业界研究的热点，可以实现更高的集成度、更优的性能以及更低的成本。对于相控阵不断追求的目标之一是实现更高的精度，由此需要不断提高衰减器的精度以及附加相移等性能。

（本课题接受装发信息系统局型谱项目的支助，基于某些原因，不便透露相关信息，但技术内容是公开的）。本项目课题组是国内最早开展硅基幅相控制多功能芯片研究的团队之一，已实现频率覆盖X波段到Ka波段的多款芯片。衰减器是幅相控制多功能芯片的核心模块，本文提出了一种新型超宽带低相位误差CMOS数字T型衰减器，采用了一种新型的电感相位补偿网络，该网络在典型的开关T型衰减器拓扑中引入了衰减路径；与传统的低通滤波网络或者电容补偿网络相比，用更小的面积实现了更优的相位补偿性能。

图1. 电感补偿衰减器及相位补偿性能。

本文采用的电感补偿网络实现的T型衰减器，已实际应用于工程样品中，实现了良好的附加移相性能，提高了幅相控制多功能芯片的整体性能。该思想及方法不受工艺的限制，可以拓展到SiGe及GaAs工艺中；同时其本身具有超宽带的特性，可以适用于不同频段的衰减器，应用面广且易于实现。

Ultra wideband CMOS digital T-type attenuator with low phase errors

Chao Fan, Yahua Ran, Liqun Ye

J. Semicond. 2022, 43(3): 032401

doi: 10.1088/1674-4926/43/3/032401

Full Text: http://www.jos.ac.cn/article/doi/10.1088/1674-4926/43/3/032401%20?pageType=en

来源：半导体学报2022年第3期中文导读