本文介绍了大功率肖特基势垒InAlAs/InGaAs背入射台面结构光电二极管的设计、制造方法及其直流、微波特性。台面直径为10 μm和15 μm的光电二极管分别在≥40 GHz和28 GHz的频率下工作时，输出射频功率高达58 mW，频率为20 GHz；选择合适的吸收层的厚度，直流响应率高达1.08 A/W；且光电二极管的暗电流低至0.04 nA。我们的结果显示，这种光电二极管在振幅-相位转换因子方面具有优势，这使得它们适合应用于对相位噪声有严格要求的高速模拟传输线路。

图1. (a) 偏置电压为 1，2 和 3 V 时，直径为15 μm的光电二极管的输出 RF 信号的相位与光电二极管光电流的关系。(b) 由 (a) 的数据计算得到的幅相转换系数与光电二极管光电流的关系。

High-power InAlAs/InGaAs Schottky barrier photodiodes for analog microwave signaltransmission

K. S. Zhuravlev, A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, A. M. Gilinsky, I. B. Chistokhin, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. S. Aksenov

J. Semicond. 2022, 43(1): 012302.

doi: 10.1088/1674-4926/43/1/012302

Full Text: http://www.jos.ac.cn/article/doi/10.1088/1674-4926/43/1/012302