本文讨论了在低温零磁场条件下，绝缘相中的跳跃电导率行为。对GaAs二维空穴体系在低温下从跳跃到激活输运的转变进行了理论研究，发现在该体系中，发生了Efros-Shklovskii变程跳跃（VRH）状态到激活状态的转变。这种p-GaAs量子阱中的电导率行为与局域电子相互作用理论中的基本定律在定性上相符。在足够强的相互作用下，局域态的空穴能够发生集体跳跃。

图1. 指数p与载流子密度的关系。

A crossover from Efros–Shklovskii hopping to activated transport in a GaAs two-dimensional hole system at low temperatures

S. Dlimi, A. El kaaouachi, L. Limouny, B. A. Hammou

J. Semicond. 2021, 42(5): 052001

doi:?10.1088/1674-4926/42/5/052001

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