氧化镓（Ga2O3）在功率电子器件应用方面具有碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体不可比拟的优越特性，成为近年来新型功率半导体材料与器件领域的研究热点。Ga2O3禁带宽度为4.7~4.9 eV，理论击穿电场达到8 MV/cm，远高于SiC材料的理论极限2.5 MV/cm和GaN材料的理论极限3.3 MV/cm。虽然Ga2O3材料的部分特性优势显著，但其短板也很明显。其中最为关键的是Ga2O3是一种离子性很强的超宽禁带半导体材料，和ZnO材料类似，存在p型掺杂困难的关键瓶颈问题，导致传统的双极性功率器件设计无法应用于Ga2O3功率器件，因此基于Ga2O3基功率器件的实用化仍充满疑虑。为充分发挥Ga2O3材料的高击穿场强优势，解决双极性器件设计成为Ga2O3基功率器件进一步发展的关键难题。其有效途径是将n型Ga2O3和其他p型氧化物材料进行异质集成，而构筑低缺陷态密度的界面工程和载流子调控是提升器件性能的关键。

南京大学叶建东教授团队提出双层p型NiO设计，构建出新型p+-NiO(100 nm)/p-NiO (350 nm)/n-Ga2O3 p-n异质结构二极管。双层NiO异质结二极管的导通电阻为10.6 mΩ·cm2，高场下低漏电且400 K仍维持开关比>1011，击穿电压达到1.86 kV, 对应的功率优值为0.33 GW/cm2。器件的击穿电压为目前Ga2O3基异质结二极管击穿电压报道最高值，也超过其他采用任何终端结构Ga2O3基二极管击穿电压。器件耐压性能的提升主要得益于调控p型NiO薄膜的载流子浓度梯度，进而有效抑制器件边缘的电场积聚效应。通过这一双极性设计，团队进一步开发出以NiO为场板和场限环的异质结势垒肖特基二极管(HJBS)，器件导通电阻进一步下降至7.7 mΩ·cm2，反向击穿电压达到2.0 kV, 对应的功率优值为0.52 GW/cm2。同时揭示了界面电子能带结构和界面电荷引起的载流子隧穿复合机制，有助于加深异质结构强场下载流子倍增效应和雪崩击穿效应的理解，对实现高性能功率器件甚至雪崩日盲探测器件具有重要的科学意义。

图. NiO/Ga2O3 p-n异质结 (a)结构示意图，(b) 导通电阻微分曲线及线性I-V，(c) 低偏压对数I-V, (e) 反向击穿特性，(f))目前报道Ga2O3 SBD及异质p-n结导通电阻-击穿电压关系图。

相关成果于2020年7月以“A 1.86-kV double-layered NiO/b-Ga2O3 vertical p–n heterojunction diode”为题发表在Applied Physics Letters 117, 022104 (2020)，并被编辑挑选为高亮文章。全球权威半导体行业杂志《Compound Semiconductors》在其2020年9月的25周年纪念特刊中以“Heterojunction enhances power diodes”专题报道和高度评价“南京大学团队开创了Ga2O3 p-n二极管新结构”。

论文链接：https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0010052

专题报道英文版链接：https://www.publishing.ninja/V4/page/10852/423/6/1

专题报道中文版链接：https://actinl.yunzhan365.com/books/gxlh/mobile/index.html#p=31