在高能效的片上系统（SoC）中，资源的高度动态分配，对电源管理的粒度提出了要求。细粒度电源管理要求每个电源域都用单独的电压稳压器供电，这要求稳压器具有全集成、低压差、中等电源抑制等特点。

传统的模拟低压差稳压器（LDO）只能工作在较高输入电压和压差的情况下，难以使用于高能效系统中。相反的，数字LDO完美的克服了上述缺点。但是，数字LDO自身离散采样的特性，使得其响应速度较慢，电源抑制性能远逊模拟LDO。

澳门大学黄沫教授课题组长期进行数字LDO技术的研究，并发表了相关成果。本文中，作者首先对数字LDO研究背景进行了介绍。其次，在低电压工作和工艺伸缩性、功耗-速度折中、稳定性、电源抑制等方面，对模拟和数字LDO进行了比较。然后，作者对数字LDO中的量化器设计技术，PID控制技术，电源抑制比提升技术等方面进行了文献回顾和分析。最后，作者展望了数字LDO的未来发展方向。

随着细粒度电源管理需求的深化，数字LDO技术必将继续发展。其中，将数字控制算法、包括深度学习等技术应用其中，将是后续发展的潜在方向；另外，可全面综合的数字LDO也将是一个有趣的方向。

A comparative study of digital low dropout regulators

Mo Huang, Yan Lu, Rui P. Martins

J. Semicond. 2020, 41(11): 111405

doi: 10.1088/1674-4926/41/11/111405

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