美国佐治亚南方大学物理系H. Zandipour教授等提出了一种具有新型内置安全功能的新一代浮栅晶体管（FGT）。该新型器件可以用于保护IC芯片不使用目前的逆向工程技术（包括扫描电容显微镜（SCM））。即使是对于浮栅上纳米级的微小量的电荷，SCM也可以测量器件C–V特性的变化。所提出的设计在常规FGT基础上仅增加一个简单的处理步骤，即在衬底上增加反向掺杂的注入层。首先对这种新结构进行了理论分析，然后提取二维模型以表示其C–V特性。该模型已通过仿真得到验证。另外，比较了与传统设计和新型设计的FGT的SCM测量相关的C–V特性，以讨论添加层在掩盖晶体管状态方面的有效性。还研究了注入层掺杂浓度的变化对C–V特性的影响。最后，通过比较其与常规FGT的I–V特性，从而检验了所提出设计的可行性。

图1. 在施加在其栅极上的小负电压的影响下的MOPNS。

Design, modelling, and simulation of a floating gate transistor with a novel security feature

H. Zandipour, M. Madani

J. Semicond. 2020, 41(10): 102105

doi: 10.1088/1674-4926/41/10/102105

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