伊拉克Mustansiriyah University的Ghusoon M. Ali教授等报道了基于纳米棒ZnO薄膜的平面肖特基二极管。通过水热技术在掺硼的p型Si（100）衬底上制备了纳米棒ZnO薄膜。Ag//ZnO/Al平面二极管的工作偏压范围为–3至3 V。I-V特性清楚地表明该器件具有整流特性。热电子发射理论控制着通过肖特基二极管的电流。该二极管的开启电压为0.9 V，势垒高度为0.69 eV，饱和电流为1.2×10–6 A。该二极管显示出非常高的理想因子（n>>2），这归因于高的界面陷阱浓度。通过扫描电子显微镜（SEM）研究了表面拓扑。通过X射线衍射（XRD）表征了纳米结构ZnO薄膜的结构性能。SEM图像表明，ZnO纳米棒垂直于衬底均匀且高密度地生长。XRD图谱显示了在（002）处出现的主峰。这个强峰表明纤锌矿型ZnO结构的c轴取向相。它表明晶体垂直于衬底表面均匀生长，这与SEM图像非常吻合。

图1. 水热法制备纳米ZnO薄膜的扫描电镜图像。（a）单个纳米花。（b）多个纳米花。

Nanoflower ZnO thin-film grown by hydrothermal technique based Schottky diode

Ghusoon M. Ali, Ahmed K. Khalid, Salah M. Swadi

J. Semicond. 2020, 41(10): 102103

doi: 10.1088/1674-4926/41/10/102103

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