通过复杂系统理论研究金属-半导体接触的电物理特性
2020-10-27
阿塞拜疆巴库国立大学L. K. Abdullayeva教授等旨在复杂系统理论的框架内分析金属-半导体接触(MSC)的电学性能。考虑肖特基二极管(SD)并联连接大量子二极管,研究了不同微结构(多晶、单晶、非晶金属-半导体接触表面)的不均匀性的影响。已经表明,金属的多晶性将均匀的接触转变成复杂系统,该复杂系统由并联连接的许多具有不同特性和参数的基本接触组成。
图1. 多晶金属表面的微观结构。
Study of electrophysical properties of metal–semiconductor contact by the theory of complex systems
Sh. G. Askerov, L. K. Abdullayeva, M. G. Hasanov
J. Semicond. 2020, 41(10): 102101
doi: 10.1088/1674-4926/41/10/102101
Full Text: http://www.jos.ac.cn/article/doi/10.1088/1674-4926/41/10/102101?pageType=en