光掺杂效应在过渡金属硫族化合物材料中已经被广泛的研究，它描述的是在光诱导下位于材料表面或环境中的电子掺杂到材料中。光掺杂相较于其他半导体掺杂方法不需要掩膜、光刻、离子注入等复杂的工艺流程，激光照射使得材料中的载流子浓度上升。单层二硒化钼的光掺杂效应表现为，低温真空环境下，激发功率保持不变而中性激子发光峰强度随时间下降。

在本文中，中科院半导体研究所孙宝权研究员等研究了不同激发功率下单层二硒化钼中性激子发光峰的时域光谱测试，发现激子峰强度随时间的衰减过程可以利用幂指数进行拟合，计算得出在0.5-100 μW激发功率范围内激子峰的平均衰减时间是27.65 s。利用此效应可以局域性的制备pn结，增强材料的光电性质，制备光存储器件等。

Photo-induced doping effect and dynamic process in monolayer MoSe2

Qian Yang, Yongzhou Xue, Hao Chen, Xiuming Dou, Baoquan Sun

J. Semicond. 2020, 41(8): 082004

doi: 10.1088/1674-4926/41/8/082004

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