一、研究所简介

    1956年，在新中国首个中长期科学技术发展的纲领性文件——《1956-1967年科学技术发展远景规划》中，半导体科学技术被确立为国家新技术发展的四大紧急措施之一。为奠定中国半导体科学技术研究的基石、构建系统化的研发体系，我国于1960年9月在北京成立中国科学院半导体研究所(Institute of Semiconductors,CAS)，开启了中国半导体科学技术的发展之路。

    建所65年来，半导体研究所在我国半导体科技发展的各个历史阶段均做出了重大贡献，取得了令人瞩目的成就：中国第一根锗单晶、硅单晶、砷化镓单晶，第一只锗晶体管、硅平面晶体管，第一块集成电路，第一台硅单晶炉、区熔炉等，均诞生于半导体研究所。研究所共获得国家级奖励近40项，黄昆院士荣获2001年度国家最高科学技术奖。

    半导体研究所作为集半导体物理、材料、器件研究及系统应用为一体的国家级综合性研究机构，拥有两个全国重点实验室——光电子材料与器件全国重点实验室、半导体芯片物理与技术全国重点实验室；两个国家级研究中心—国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心；一个院级实验室——中国科学院固态光电信息技术重点实验室；还设有纳米光电子实验室、人工智能与高速电路实验室、光电系统实验室、全固态光源实验室、宽禁带半导体研发中心、光电子工程中心、半导体集成技术工程研究中心和元器件检测中心。现有职工700余人，其中包括中国科学院院士8名，中国工程院院士1名，高层次引进人才计划入选者53人，国家级领军人才计划入选者27 人，国家级青年人才计划入选者17人。研究所设有3个博士后流动站，拥有8个学术型学科专业博士和硕士培养点，以及2个专业学位领域培养点。作为中国科学院大学材料科学与光电技术学院的主办单位，研究所主办的“材料科学与工程”学科入选国家一流学科。

二、光电子材料与器件全国重点实验室简介

    光电子材料与器件全国重点实验室依托于中国科学院半导体研究所，于2024年底获科技部批复。

使命定位：面向光电子材料与器件前沿领域，聚焦异质异构集成、多维光电调控与多功能一体化等关键技术，开展前瞻性与原创性研究，构建“产-学-研”融合科技攻关联合体，满足国家光通信领域对高端光电子材料与器件的重大需求。

特色成果：长期深耕光电子材料与器件前沿，构建了贯穿半导体光电子“机理-材料-芯片-器件-应用”全链条研发体系。材料体系涵盖InP、GaAs、GaSb、硅基、铁电等Ⅲ-Ⅴ族化合物及新型半导体材料。在半导体激光器、调制器、探测器及光子集成等核心光电子材料与器件领域长期处于国内领先、国际先进水平。目前已经形成从材料外延、器件制备、芯片集成、封装测试到系统应用的自主可控技术体系，是我国光电子材料与器件领域的核心研究单元。

实验室诚邀半导体科学与技术相关领域，包括半导体材料与器件、半导体光电子学、微电子学与固体电子学、物理电子学、集成电路科学与工程、光学工程、电路与系统、电子信息等学科方向的优秀人才加入。

精通上述方向中一项者皆可加入，具有交叉科研背景优先，以个人强项融入团队研发，相互学习多学科最新技术，在项目中拓展个人研究领域与能力。

三、招聘岗位

（一）优秀人才A类岗位  

1．岗位要求  

（1）原则上年龄不超过50周岁。  

（2）海外申请人应具有在海外知名科研机构、高校或大型企业研发机构等担任教授或相当岗位的任职经历。特别优秀或急需者，可放宽至副教授或相当岗位的任职经历。  

国内申请人应具有在国内知名科研机构、高校或大型企业研发机构等担任三级（含）以上教授或相当岗位的任职经历，是国内相关领域优秀的学术技术带头人。  

（3）引进后需全职到岗工作。  

2．岗位待遇  

（1）聘任为研究员（正高级编制岗位)、博士生导师。可加入建制化国家级研究团队，或独立设立课题组、研究所协助建立研究团队。

（2）1000-1600万元科研经费。

（3）提供具有国际竞争力的薪酬待遇，年薪70万元/年以上； 

（4）除中国科学院200万元生活补贴外，研究所提供租房补贴、特殊人才津贴、住房补贴等各项津补贴以及全方位的福利保障。

（5）其他支持：提供科研所需的办公和实验用房；享受人才长租房，提供直至退休的人才长租房政策；按照相关政策解决本人及配偶、子女在京落户，及子女入托入学等。 

（二）优秀人才B类岗位  

1．岗位要求  

（1）原则上年龄不超过40周岁。  

（2）海外申请人应具有取得博士学位后在海外知名科研机构、高校或大型企业研发机构连续不少于3年（含）的科研工作经历（在海外取得博士学位且特别优秀或急需者，海外工作年限可适当放宽）。通过国家或单位派出赴海外学习工作的，申请项目时应妥善处理与原派出单位人事和经济关系。  

国内申请人（院外）应具有取得博士学位后在知名科研机构、高校或大型企业研发机构不少于3年（含）的科研工作经历，或具有担任副教授或相当岗位的任职经历。

本所特别研究助理申请人应获得过“特别研究助理资助项目”支持，并在我所具有不少于3年（含）的特别研究助理工作经历，且取得由院外单位颁发的博士研究生毕业证书和博士学位证书（不包含我院与院外单位联合培养博士研究生）。

（3）引进后需全职到岗工作。  

2．岗位待遇  

通过研究所招聘后全职到岗的Ｂ类岗位备案人才，可享受如下待遇：  

（1）聘为副高一级编制岗位，享受正高四级的岗位津贴。

（2）100万元科研启动经费。

（3）提供有竞争力的薪酬待遇。 

（4）其他支持：提供科研所需的办公和实验用房；享受人才长租房和租房补贴；按照相关政策解决本人及配偶、子女在京落户，及子女入托入学等。  

通过择优正式入选中国科学院相关人才计划的Ｂ类岗位人才，可增加如下待遇：  

（1）聘为研究员岗位（正高级编制岗位)，博士生导师，协助建立研究团队。

（2）300-900万元科研经费（含项目评估优秀追加200万元）。

（3）提供有竞争力的薪酬，年薪40万元/年以上。

（4）除中国科学院100万元生活补贴外，研究所提供租房补贴、特殊人才津贴、住房补贴等各项津补贴以及全方位的福利保障。

（三）优秀青年人才岗位

1．岗位要求 

申请人需符合国家自然科学基金优秀青年科学基金项目（海外）项目指南的要求：

（1） 遵守中华人民共和国法律法规，具有良好的科学道德，自觉践行新时代科学家精神；

（2）年龄在40岁以下；

（3） 具有博士学位； 研究方向主要为自然科学、工程技术等；

（4） 在取得博士学位后，一般应在海外知名高校、科研机构、企业研发机构获得正式教学或者科研职位，且具有连续36个月以上工作经历；在海外取得博士学位且业绩特别突出的，可适当放宽工作年限要求，在海外工作期间，同时拥有境内带薪酬职位的申请人，其境内带薪酬职位的工作年限不计入海外工作年限；

（5） 取得同行专家认可的科研或技术等成果，且具有成为该领域学术带头人或杰出人才的发展潜力；

（6） 申请人尚未全职回国（来华）工作，或者回国（来华）工作不满一年。获资助通知后须辞去海外工作并全职回国（来华）工作不少于3年。

详细申报条件请参见网址：

*国家自然科学基金优秀青年科学基金项目（海外）项目指南

（https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info94490.htm）

2．岗位待遇 

（1）聘任为研究员（正高级编制岗位)、博士生导师。可加入建制化国家级研究团队，或独立设立课题组、研究所协助建立研究团队。

（2）900万元以上的科研经费（含项目评估优秀追加200万元）。

（3）提供具有国际竞争力的薪酬待遇。

（4）除国家和中国科学院100万元生活补贴外，研究所提供租房补贴、特殊人才津贴、住房补贴等各项津补贴以及全方位的福利保障。

（5）其他支持：提供科研所需的办公和实验用房；享受人才长租房，提供直至退休的人才长租房政策；按照相关政策解决本人及配偶、子女在京落户，及子女入托入学等。

四、申请程序  

（一）招聘岗位全年有效。欢迎来电来信咨询，并将个人简历、已取得的代表性成果证明材料、今后的工作计划等发送至：oematdev@semi.ac.cn ；  

（二）通过答辩的申请人与半导体所签订工作意向协议书/聘用合同，依托半导体研究所申报中国科学院引才计划，或者申报国家自然科学基金优秀青年科学基金项目（海外）。 

五、联系方式 

地址：北京市海淀区清华东路甲35号（邮编：100083）  

联系人：光电子材料与器件全国重点实验室办公室  

陆老师 张老师 

邮箱：oematdev@semi.ac.cn  

电话：86-10-82304100