为深入贯彻习近平总书记关于加强基础学科人才培养的重要讲话精神，进一步落实中国科学院关于加强科教融合行动计划精神，2025年4月27日上午，中国科学院半导体研究所与中南大学在中南大学潇湘校区举行联合共建“黄昆英才班”合作协议签约仪式。中国科学院半导体研究所所长谭平恒，中南大学党委常委、副校长何军出席仪式。中南大学物理学院院长孙克辉、党委副书记安少波、副院长龙孟秋、副院长孙佳等学院领导和教师代表，半导体所人事教育处处长徐艳坤，教师代表魏钟鸣、邓惠雄、刘岳阳、刘孔等参加仪式。仪式由龙孟秋主持。

何军对半导体所一行的到来表示热烈欢迎，他指出，半导体所作为国家半导体领域的综合科研机构，为国家半导体领域的发展做出了巨大贡献，为半导体行业培养了大批领军人才。他表示，当前全球半导体产业竞争空前激烈，国家对半导体核心技术的战略需求十分迫切。“黄昆英才班”既是对黄昆院士科学家精神的大力传承，更是对新时代半导体领域领军人才培养的使命担当。中南大学高度重视科教融合，希望以此次黄昆英才班的成立为契机和抓手，进一步推动强强联合和优势互补，力争培养有志于从事半导体事业的青年领军人才。期待双方合作取得新进展新成效，为推动国家半导体科学技术的飞速发展和拔尖创新人才的自主培养做出新的更大贡献。

谭平恒在讲话中首先感谢了中南大学对“黄昆英才班”建设的支持，他指出，中南大学是享誉海内外的著名高等学府，是国家“211”工程、“985”工程重点建设高校，世界一流大学A类建设高校。他随后介绍了半导体所的发展历程，表示半导体所是集半导体物理、材料、器件及其系统集成应用于一体的国家级半导体科学技术的综合性研究机构，有着雄厚的科研实力和一流的人才队伍。此次半导体所与中南大学联合设立“黄昆英才班”，旨在贯彻落实全国教育大会精神、落实党中央关于统筹推进教育科技人才体制机制一体改革的部署，通过充分整合高校的人才培养优势与科研院所的科研优势，探索优秀本科生人才培养的新机制和新模式，为国家培养半导体物理、材料与器件、集成电路等领域的拔尖人才。希望双方在人才培养方面进一步加强合作，探索一条独具特色且具备科教融合特征的高科技人才培养之路。

孙克辉介绍了中南大学物理学院的基本情况，阐述了学院秉承的“格物致理，创新笃行”的办院精神，强调学院近年来迈向了高速发展的新台阶，取得了一批国际领先的科研成果，为相关领域培养了大批领军人才。物理学ESI世界排名进入前1%，建立了先进的微纳加工与器件制造平台。他表示，希望通过与半导体所共建“黄昆英才班”，共同培养对半导体物理、材料、器件、集成电路感兴趣并有志于从事相应领域研究的本科生，为国家输送半导体领域的高素质人才。

签订“黄昆英才班”合作协议

徐艳坤、孙克辉作为双方代表正式签署联合创办“黄昆英才班”协议。随后，谭平恒、何军共同为“黄昆英才班”揭牌。根据协议，“黄昆英才班”将通过在中南大学物理学院相关专业的优秀本科生中进行选拔，通过教师、资源等共享的方式，共同培育具有扎实的专业基础、卓越创新能力的优秀人才。此外，半导体所还设立了“黄昆奖学金”，奖励在“黄昆英才班”中表现优异的学生。

签约仪式合影

“黄昆英才班”是以我国著名物理学家、教育家、半导体事业先驱——黄昆先生命名的拔尖人才培养办学项目，旨在实现中国科学院与高等院校在科教融合方面的优势互补，为国家培养半导体领域具有国际视野的高素质创新型科技人才。项目由半导体所组织，目前已与国内20余所重点大学开展了联合开班办学。通过所校深度合作与联合培养的方式，双方共同培育对半导体物理、材料、器件及其集成应用技术怀有浓厚兴趣且有志于在相应领域研究的本科生，为相关领域源源不断地输送品学兼优的后备科研力量。