2025年4月14日，国家重点研发计划 “物态调控” 重点专项 “高MOS沟道迁移率及其低温电子输运与器件研究” 项目启动暨实施方案论证会在北京顺利召开。该项目由中国科学院半导体研究所牵头，联合北京大学和中国人民解放军国防科技大学共同承担，旨在发展硅 MOS 工艺下的量子器件，通过研制高品质的硅MOS栅极材料以及高迁移率的电子沟道来制备与集成量子器件，以大幅降低信息处理所需功耗，具有重要的科学意义和应用价值。

此次会议在国家自然科学基金委高技术研究发展中心指导下，由半导体所主办。出席会议的有基金委高技术研究发展中心基础一处处长墨宏山；中国科学院前沿科学与基础研究局相关处领导及半导体所所领导、处长；项目责任专家许祝安教授和陆卫研究员；项目专家组李树深院士、黄维院士、刘益春院士、魏苏淮教授、王润声教授、周树云教授、何林教授、陈佳宁研究员、骆军委研究员；项目依托单位领导及管理部门代表、各参研单位的科研骨干人员等共30余人参加会议。

墨宏山代表专项办发表重要讲话，首先对项目的正式启动表示热烈祝贺，表示项目的顺利实施离不开牵头单位的统筹协调与责任担当，他强调，要强化组织机制、优化经费使用，切实保障各项资源落实到位。他特别指出，项目负责人要聚焦核心任务，明确研究方向，科学制定实施路径，积极带动团队协同推进。同时，要注重各课题之间的深度融合，构建优势互补、协同创新的工作格局。

中国科学院前沿科学与基础研究局综合业务处处长李云龙发表讲话，强调要始终坚持问题导向与目标牵引相结合，不仅要高质量完成既定任务，还要力争在关键技术与理论研究上实现突破，真正产出具有学术价值和实际意义的成果。

项目负责人汪林望研究员全面汇报了实施方案，从研究背景与科学问题、研究内容和技术路线、课题分解和进度安排、研究团队和工作基础、预期成果及风险分析、项目预算及近期进展等几大方面作了详细介绍。随后，各课题负责人刘岳阳研究员、袁国栋研究员、鲁军研究员、廖志敏研究员依次就各课题的技术方案、实施计划及现阶段取得的研究进展进行了详细汇报。

与会专家在听取实施方案汇报后，对项目研究内容、实施方案及技术路线给予充分肯定，基于该项目立足的关键科学问题、具体实施方案及考核验收指标等方面，同项目组成员进行了充分的质询和讨论，并在项目目标完成、聚焦关键科学问题和课题之间的相互协作上提出宝贵意见和期望，对项目团队做出原创性成果给予厚望。随后项目成员结合专家指导意见，就项目实施与课题间密切合作等进行了讨论。

此次项目启动暨实施方案论证会的顺利召开，为推动该项目有序实施、保障研究目标顺利实现奠定了重要基础。该项目将持续推动各课题协作共进，全力支持和配合相关工作展开，高质量完成研究任务，为国家重大战略实施和研究所的高质量发展贡献力量。