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半导体所荣获北京市自然科学奖一等奖

2023-12-28



近日,2022年度北京市科学技术奖公布。半导体所申报的项目“高性能钙钛矿半导体光电器件的载流子输运调控及缺陷钝化研究”荣获2022年度北京市自然科学奖一等奖,项目完成人:游经碧、张兴旺、蒋琦、赵洋、储泽马、尹志岗。

该项目围绕实现钙钛矿半导体器件高效光电/电光转换的关键科学问题开展研究,形成具有国际特色的钙钛矿半导体光电器件研究思路。发现了普适的电子传输层氧化锡,消除了钙钛矿/电子传输层界面势垒及电荷积累,解决了钙钛矿太阳电池中广泛存在电滞的关键瓶颈问题。提出了分子尺度钝化钙钛矿表面缺陷的思路,连续两次创造了钙钛矿太阳电池效率的世界纪录(23.3%23.7%),被美国可再生能源国家实验室发表的“Best Research Cell Efficiency”收录,实现了中国团队在此领域世界纪录效率的突破,打破了钙钛矿太阳电池效率纪录长期被国外垄断的局面,被Nature Energy发表的“钙钛矿光伏十年”社论重点评述。在国际上较早开展钙钛矿发光二极管研究,通过载流子注入平衡调控以及与载流子限制效应协同等,研制出当时发光效率最高的钙钛矿发光二极管,在发光二极管方面的研究成果也多次被同行评价为“创纪录”的发光效率。

北京市科学技术奖由北京市人民政府设立,旨在奖励科技界的优秀人士与团体;并鼓励首都科技工作者弘扬科学家精神,积极投身各领域科技创新,着力加强基础科学研究,攻克关键核心技术,促进科技成果转化应用,为加快推动北京国际科技创新中心建设、实现高水平科技自立自强作出更大贡献。




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