3月15日上午，中国科学院半导体研究所举行座谈会，纪念我国著名半导体器件物理学家、微电子学家，中国半导体科学技术的开拓者与奠基人之一、中国科学院院士王守武先生诞辰100周年。半导体所党委书记、副所长冯仁国，离退休办公室主任娄纪勇以及王守武院士的学生、同事和朋友20余人参加了此次座谈会。会议由娄纪勇主持。

王守武，1919年3月生于江苏。1941年王守武毕业于上海同济大学，1945年赴美留学，1949年获美国普渡大学博士研究生学位，1950年回国后先后任中国科学院应用物理所半导体研究室室主任、中国科学院半导体研究所副所长、中国科学院109厂厂长和中国科学院微电子中心名誉主任等职。1958年筹建了我国第一个晶体管工厂。1963年起致力于砷化镓激光器的研究工作，创造了简易的光学定晶向的方法，促进了我国第一个砷化镓激光器的研制成功。1973年起，在领导研究砷化镓中高场畴的动力学以及PNPN负阻激光器的瞬态和光电特性的过程中，提出了一些很有创见的学术观点。1978年带领科技人员进行提高大规模集成电路芯片成品率的研究，解决了一系列技术难题，使我国大规模集成电路芯片的成品率有显著提高，成本大为降低。1979年获全国劳动模范称号，1980年当选为中国科学院院士（学部委员）。先后获中国科学院科研成果一等奖、中科院科技进步奖二等奖和国家科技进步奖二等奖等。

冯仁国书记首先介绍了王守武院士“永争第一”的钻研精神、献身祖国的高尚情操和宽厚待人、严以律已的人生信念，号召年轻一代科技工作者要学习王守武院士勇攀科技高峰、立足国家需求的科技报国精神，理论、技术和实践三方面并重的工匠精神。

座谈会上，余金中研究员、牛智川研究员等与会人员纷纷发言，盛赞王守武院士为我国科技事业、特别是半导体事业做出的卓越贡献，感怀他兼容并包、海纳百川的胸怀，严谨求实、一丝不苟的治学态度和甘为人梯、提携后进的无私奉献精神。