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半导体所超晶格室在二维材料激子研究中取得新进展

2015-11-18

  单层过渡金属硫族化合物作为新的二维半导体材料,因其独特的光电特性近年来受到持续的关注。特别是二维材料激子的束缚能可达几百个毫电子伏,使得实验观测室温激子效应成为可能。 

  二维材料层间耦合是弱的范德瓦尔斯力,因此可以将不同的二维材料堆垛组成范德瓦尔斯异质结,避免了传统半导体异质结晶格匹配的限制条件。特别是由不同的过渡金属硫族化合物堆垛组成范德瓦尔斯异质结表现出型电子结构,电子空穴会自动分离而形成寿命很长的层间激子,近期的实验观测证实了这一点。 

  激子作为电中性的玻色子,实验上很难用电场和磁场来操控它的运动。中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室常凯研究小组利用量子光学的办法,通过两束光耦合层间激子内部的三能级系统,利用玻恩-奥本海默近似,可以演生出作用在激子的质心运动上的附加规范场项,相当于激子处在有效磁场中运动。而处在两个不同内部态(赝自旋)上的激子,规范场大小相同,符号相反,等价于相反自旋的激子处在相反的磁场下运动。这样,能够将不同自旋态的激子空间分离,即实现激子的自旋霍尔效应。 

  近年来,自旋霍尔效应在实验上和理论上已有了广泛的研究,人们将自旋霍尔效应推广到光子和冷原子体系,而该工作则将其推广到中性的固态元激发-激子体系,对于深入研究激子的新奇物理效应提供了新的手段。 

  文章发表在《物理评论快报》Yun-Mei Li, Jian Li, Li-Kun Shi, Dong Zhang, Wen Yang, and Kai Chang, Light-Induced Exciton Spin Hall Effect in van der Waals Heterostructures, Physical Review Letters 115, 166804 (2015)文章链接:http://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.115.166804 

 



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