半导体所等在莫尔异质结层间激子研究方面取得进展
半导体所等在手性分子产生自旋极化研究中取得新进展
半导体所在高功率、低噪声量子点DFB单模激光器研究方面取得重要进展
半导体所在硅基外延量子点激光器研究方面取得重要进展
半导体所在非互易光学介质几何理论方面取得进展
半导体所在氮化物材料外延研究中取得新进展
半导体所在硅上In线的光致相变机理中取得新进展
半导体所发现亚铁磁自旋调控新机理
半导体所成功研制一款极低电压低抖动低功耗频率综合器芯片
半导体所在激子-声子的量子干涉研究方面取得进展
官方微信
友情链接

半导体微腔激光器的定向输出研究取得新进展

2010-10-15
 

2010年6月24日,化合物半导体(Compounds Semiconductor)一刊在Research View栏目中以“PICs Could Benefit From Square Lasers”为题,专题报道了我室黄永箴研究员课题组最新研制的“双端口InGaAsP/InP正方形微腔激光器”。此类微腔激光器适用于光子集成回路上,同时驱动两个光学器件,或是应用于光学信号的处理和输出。

该成果发表在国际知名光学杂志《电子快报》(Electronic Letters)。这项工作得到了国家自然科学基金(60777028,60723002和60838003)以及国家重大基础研究项目(2006CB302804)的资助。EL-46-585.pdf

相关详细报道见http://compoundsemiconductor.net/csc/features-details.php?id=19732054

 




关于我们
下载视频观看
联系方式
通信地址

北京市海淀区清华东路甲35号(林大北路中段) 北京912信箱 (100083)

电话

010-82304210/010-82305052(传真)

E-mail

semi@semi.ac.cn

交通地图
版权所有 中国科学院半导体研究所

备案号:京ICP备05085259-1号 京公网安备110402500052 中国科学院半导体所声明