2007年4月30日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破，标志着我国氮化镓(GaN)基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。

    氮化镓(GaN)基蓝光半导体激光器具有驱动能耗低、输出能量大、体积小、性能稳定的特点，在光电子领域有着非常重要的应用前景和研究价值，多年来一直备受各个国家关注。2002年半导体所杨辉研究员和陈良惠院士领导的研究团队承担了国家863重大项目“氮化镓基激光器(GaN—LD)”，开始了对GaN蓝光激光器的攻关研发。 经过两年多的艰苦努力于2004年11月16日首次实现了在蓝宝石衬底上GaN蓝光激光器的脉冲激射，引起了业界人士和相关部门领导的重视和极大关注，并得国家863项目连续支持和中科院创新工程重要方向性支持。

    2007年2月，科研人员在低温环境下观测到了GaN蓝光激光器的连续激射。本着严谨、务实的科学精神，科研人员又在激光器腔面解理和镀膜、激光器热沉设计和制作、激光器倒装以及激光器测试手段的完善和提高等方面做了大量细致入微的工作，终于在2007年4月30日，GaN蓝光激光器在半导体所科研人员的辛勤培育下绽放出了绮丽的蓝色的笑靥，发射出了中国大陆上第一束连续的、稳定的蓝色光束。室温连续激射GaN蓝光激光器的研制成功是在中科院知识创新工程的大力支持下结出的又一硕果。