半导体所垂直自旋器件的全电写入和硅基集成研究取得新进展
半导体所等在等离激元纳腔助力二维材料层间呼吸振动探测方面取得重要进展
半导体所在大规模单片集成高速光互连研究方面取得新进展
半导体所磁性半导体自旋光子学研究取得新进展
半导体所在低功耗二维半导体基自旋电子器件领域取得新进展
半导体所研制出晶圆级集成的多模态仿生味觉传感系统
半导体所等研制出具有实用前景的可编程光电伊辛机
半导体所在高精度光计算领域取得新进展
半导体所、新疆理化所采用386nm近紫外GaN基激光器直接倍频实现193nm深紫外激光
半导体所在解决集成电路接触电阻瓶颈方面取得新进展
官方微信
友情链接

半导体所荣获北京市自然科学奖一等奖

2023-12-28



近日,2022年度北京市科学技术奖公布。半导体所申报的项目“高性能钙钛矿半导体光电器件的载流子输运调控及缺陷钝化研究”荣获2022年度北京市自然科学奖一等奖,项目完成人:游经碧、张兴旺、蒋琦、赵洋、储泽马、尹志岗。

该项目围绕实现钙钛矿半导体器件高效光电/电光转换的关键科学问题开展研究,形成具有国际特色的钙钛矿半导体光电器件研究思路。发现了普适的电子传输层氧化锡,消除了钙钛矿/电子传输层界面势垒及电荷积累,解决了钙钛矿太阳电池中广泛存在电滞的关键瓶颈问题。提出了分子尺度钝化钙钛矿表面缺陷的思路,连续两次创造了钙钛矿太阳电池效率的世界纪录(23.3%23.7%),被美国可再生能源国家实验室发表的“Best Research Cell Efficiency”收录,实现了中国团队在此领域世界纪录效率的突破,打破了钙钛矿太阳电池效率纪录长期被国外垄断的局面,被Nature Energy发表的“钙钛矿光伏十年”社论重点评述。在国际上较早开展钙钛矿发光二极管研究,通过载流子注入平衡调控以及与载流子限制效应协同等,研制出当时发光效率最高的钙钛矿发光二极管,在发光二极管方面的研究成果也多次被同行评价为“创纪录”的发光效率。

北京市科学技术奖由北京市人民政府设立,旨在奖励科技界的优秀人士与团体;并鼓励首都科技工作者弘扬科学家精神,积极投身各领域科技创新,着力加强基础科学研究,攻克关键核心技术,促进科技成果转化应用,为加快推动北京国际科技创新中心建设、实现高水平科技自立自强作出更大贡献。




关于我们
下载视频观看
联系方式
通信地址

北京市海淀区清华东路甲35号(林大北路中段) 北京912信箱 (100083)

电话

010-82304210/010-82305052(传真)

E-mail

semi@semi.ac.cn

交通地图
版权所有 中国科学院半导体研究所

备案号:京ICP备05085259-1号 京公网安备110402500052 中国科学院半导体所声明