一、申请条件

1. 遵守中华人民共和国法律法规，具有良好的科学道德，自觉践行新时代科学家精神；

2. 出生日期在1985年1月1日（含）以后；

3. 具有博士学位；

4. 研究方向主要为自然科学、工程技术等；

5. 在取得博士学位后至2025年4月15日前，一般应在海外知名高校、科研机构、企业研发机构获得正式教学或者科研职位，且具有连续36个月以上工作经历；在海外取得博士学位且业绩特别突出的，可适当放宽工作年限要求，在海外工作期间，同时拥有境内带薪酬职位的申请人，其境内带薪酬职位的工作年限不计入海外工作年限；

6. 取得同行专家认可的科研或技术等成果，且具有成为该领域学术带头人或杰出人才的发展潜力；

7. 申请人尚未全职回国（来华）工作，或者2024年1月1日以后回国（来华）工作。获资助通知后须辞去海外工作并全职回国（来华）工作不少于3年。

详细申报条件请参见网址：

*国家自然科学基金优秀青年科学基金项目（海外）项目指南

（https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info94490.htm） 

二、待遇保障

研究所诚邀半导体科学与技术相关领域，包括凝聚态物理、半导体物理、半导体器件物理、半导体材料与器件、半导体光电子学、微电子学与固体电子学、物理电子学、集成电路科学与工程、光学工程、电路与系统、电子信息、材料与化工等学科方向的优秀青年人才加入，并给予国家自然科学基金优秀青年科学基金项目（海外）入选者如下岗位待遇：

1.聘任为研究员（正高级编制岗位)、博士生导师。可加入建制化国家级研究团队，或独立设立课题组、研究所协助建立研究团队。

2.900万元以上的科研经费（含项目评估优秀追加200万元）。

3.提供具有国际竞争力的薪酬待遇。

4.除国家和中国科学院100万元生活补贴外，研究所提供租房补贴、特殊人才津贴、住房补贴等各项津补贴以及全方位的福利保障。

5.其他支持：提供科研所需的办公和实验用房；享受人才长租房，提供直至退休的人才长租房政策；按照相关政策解决本人及配偶、子女在京落户，及子女入托入学等。

三、研究所简介

1956年，在新中国首个中长期科学技术发展的纲领性文件——《1956-1967年科学技术发展远景规划》中，半导体科学技术被确立为国家新技术发展的四大紧急措施之一。为奠定中国半导体科学技术研究的基石、构建系统化的研发体系，我国于1960年9月在北京成立中国科学院半导体研究所(Institute of Semiconductors, CAS)，开启了中国半导体科学技术的发展之路。

建所65年来，半导体研究所在我国半导体科技发展的各个历史阶段均做出了重大贡献，取得了令人瞩目的成就：中国第一根锗单晶、硅单晶、砷化镓单晶，第一只锗晶体管、硅平面晶体管，第一块集成电路，第一台硅单晶炉、区熔炉等，均诞生于半导体研究所。研究所共获得国家级奖励近40项，黄昆院士荣获2001年度国家最高科学技术奖。

半导体研究所作为集半导体物理、材料、器件研究及系统应用为一体的国家级综合性研究机构，拥有两个全国重点实验室——光电子材料与器件全国重点实验室、半导体芯片物理与技术全国重点实验室；两个国家级研究中心—国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心；一个院级实验室——中国科学院固态光电信息技术重点实验室；还设有纳米光电子实验室、人工智能与高速电路实验室、光电系统实验室、全固态光源实验室、宽禁带半导体研发中心、光电子工程中心、半导体集成技术工程研究中心和元器件检测中心。现有职工700余人，其中包括中国科学院院士8名，中国工程院院士1名，高层次引进人才计划入选者53人，国家级领军人才计划入选者27 人，国家级青年人才计划入选者17人。研究所设有3个博士后流动站，拥有8个学术型学科专业博士和硕士培养点，以及2个专业学位领域培养点。作为中国科学院大学材料科学与光电技术学院的主办单位，研究所主办的“材料科学与工程”学科入选国家一流学科。

四、研究所科研条件支撑平台

研究所构建了覆盖半导体研发制造全链条的国际一流设施和技术体系，涵盖材料仿真、分子束外延生长、纳米光刻、等离子刻蚀、先进封装及晶圆级测试等全流程能力，包括：从原子级到系统级半导体材料与器件仿真，从分子束外延到纳米级电子束光刻系统，从等离子体刻蚀系统到晶圆级先进封装，以及完备的材料表征实验室和晶圆级测试平台。研究所现有百级/千级超净实验室总面积逾6000平方米，大型半导体设备种类齐全，可制备III-V族化合物、宽禁带以及硅基等多种先进半导体材料与器件，工作波长覆盖紫外、可见光、红外、太赫兹至微波波段，形成了“机理-设计-制造-封装-测试”五位一体的完整研发闭环，可为微电子和光电子系统提供从原型开发到小批量试制的全周期支撑。

◆  光电子材料与器件全国重点实验室