中国科学院半导体研究所年鉴(2016)

所    长：李树深

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中国科学院半导体研究所（以下简称半导体所）是1956年按照国家“十二年科学发展远景规划”中“四项紧急措施”开始筹建的研究所，直接服务于当时的国家重大目标，是集半导体物理、材料、器件研究及其系统集成应用于一体的国家级半导体科学技术综合性研究所，正式成立于1960年9月。

半导体所主要研究领域包括：光电子及其集成技术，体、薄膜、微结构半导体材料科学技术，低维量子体系和量子工程、量子器件的基础研究，半导体人工神经网络和特种微电子技术等。设有2个国家级研究中心，即国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心；3个国家重点实验室，即半导体超晶格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室（半导体所区）；1个国际研发基地，即半导体照明国际研发基地；3个院级实验室（中心），即中科院半导体材料科学重点实验室、中科院半导体照明研发中心和固态光电信息技术实验室。另外还有半导体集成技术工程研究中心、光电子研究发展中心、高速电路与神经网络实验室、纳米光电子实验室、光电系统实验室、全固态光源实验室、半导体元器件检测中心和半导体能源研究发展中心等。

全所2015年底固定资产总额104932万元，拥有全套先进的半导体物理、材料、器件及电路研究、分析测试和制备设备。

截至2015年底，半导体所共有在职职工680人（含项目聘用），其中科技人员465人、科技支撑人员179人，包括中国科学院院士7人、中国工程院院士2人、发展中国家科学院院士1人、研究员及正高级工程技术人员134人、副研究员及高级工程技术人员142人。国家杰出青年科学基金获得者18人。

半导体所是首批国务院学位委员会批准的博士、硕士学位授予权单位之一，现设有物理学、电子科学与技术、材料科学与工程3个一级学科博士研究生培养点；材料工程、电子与通信工程、集成电路工程等3个工程硕士专业学位培养点；设有物理学、电子科学与技术、材料科学与工程等3个一级学科博士后流动站。现在学研究生637人（其中硕士生317人、博士生320人），在站博士后34人。

2015年,半导体所共有在研项目386项（包括新增98项）。其中申请自然基金199项，57项获资助，直接经费4478万元；新增北京市科委项目9项，总经费1000余万元；新承担院仪器研制、修购专项等总经费近2000万元；高技术项目取得较大突破，新上项目28项，留所总经费9397万元。本年度共交付各类配套产品3700多套（只），涵盖了元器件与子系统，总产值2000余万元，未出现重大质量问题。

在科教融合卓越中心建设方面，建立了相对完善的中心组织机构，成立了研究所科教融合领导小组，建立了中心学术委员会和教育委员会。2015年共收到院支持中心建设的增量资金4000万元。

2015年，半导体所取得了丰硕的科研成果。利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相；在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展；成功获得了高质量的半导体量子阱材料，达到国际先进水平；提出了一种新型的基于双面二氧化钛纳米管阵列组装的光电容集成概念；设计成功了集有机物PCBM和无机Cd₃P₂纳米线的柔性有机无机杂化全光谱光电探测器；创新性地提出了将忆阻器与超级电容器集成，成功地实现了具有稳压特性的超级电容器系统；首次发现二维WS2场效应管具有超高的光敏和气敏特性；首次发现人工合成新型二维半导体异质结；在Si:P系统量子比特的退相干研究方面取得了重要的理论发现；在转角多层石墨烯的呼吸层间耦合研究获得新进展；实现了全柔性自供电光电探测系统；在h-BN二维原子晶体研究方面取得进展；在有机自组装分子单层对磁性半导体(Ga,Mn)As薄膜磁性调控研究方面取得重要进展；在隧穿场效应晶体管机理的研究中取得了重要进展；在国际上首次提出了采用光纤边带调制和相移光栅的系统方案；研制成功了一款无源/半无源双模无线温湿度传感器；研制出高可靠硅基单片低功耗温度传感器；研制成功新一代免滤波器数字功率放大器芯片并实现批量生产。

2015年，共发表SCI收录文章496篇，EI收录文章580篇，CPCI-S收录文章17篇;出版著作1册，其中编著1册；申请专利276项，获得专利授权157项。联合申请并获得国家科学技术进步二等奖1项，省部级奖励2项,其中北京市科学技术二等奖1项, 中国人民解放军科技进步奖二等奖1项.

2015年研究所采取政策激励、成果宣传、平台辐射技术等方式促进科技成果转移转化；以技术开发、技术转让、技术服务的方式服务企业、服务社会。主要措施有：修订研究所绩效考核管理办法，完善奖励机制，鼓励科研人员争取横向项目，产出重大科研成果。收集整理研究所成果汇编并挂网宣传，参加产学研推进会，接待来访的地方政府及企业人员，推广研究所科技成果。加强与地方政府及企业的产学研合作，成立研发平台。本年度研究所与北京、上海、河北、河南、广东、云南、福建等地方政府和企业成立了15个联合实验室，有效推动了研究所技术向多个地区进行辐射。通过这些措施，2015年研究所全年横向合同额超过1.3亿元，与2014年相比增长了44%。技术开发合同、专利许可转让合同、院地合作项目及技术服务合同等数量超过470项。本年度研究所还获得了中国科学院北京分院和中关村科技园区管理委员会颁发的技术转移工作组织奖二等奖。

2015年，半导体所与国际同行之间的国际科技合作与交流十分活跃，并且成绩显著。共有124人次出国参加国际学术会议以及长、短期合作研究和访问考察等。共有66人次外籍专家学者来所进行访问考察、学术交流、洽谈合作以及合作研究。组织了31位国际知名专家在“黄昆半导体科学技术论坛”上作报告。通过院国际人才计划、台湾青年访问学者计划和发展中国家访问学者计划积极引进8名境外专家来所工作。半导体所与俄罗斯科学院的无机化学所和半导体物理所签署了合作协议共同开展优势互补的合作研究。申请到各部委的各类国际合作与交流项目10项，获得293万元经费支持。随着这些国际合作项目的实施，有利于半导体所更加直接地引进国外的先进技术和思想。

半导体所是中国电子学会半导体与集成技术分会、中国物理学会半导体物理专业委员会挂靠单位；主办有英文刊物Journal of Semiconductors(《半导体学报》), 主编为李树深院士，2015年获得国家自然科学基金委员会主任基金资助；图书馆藏书8万余册（其中中文3万余册，外文5万余册），期刊1208种（其中中文751种，外文457种），可使用的网络数据库达158个，电子期刊超过15000种。