根据中国科学院《关于公布2019年中国科学院院士增选当选院士名单的公告》，半导体所常凯研究员当选中国科学院院士（数学物理学部）。

学部主席团与新当选院士合影

颁证仪式

    常凯，中国科学院半导体研究所研究员。 1964年8月出生于安徽潜山，阜阳师范学院学士，北京师范大学硕士，博士。2001年入选中科院人才计划， 2005年度获得国家杰出青年基金资助，曾获2004年国家自然科学二等奖（排名第三），2013年黄昆固体物理和半导体物理奖。2019年当选为中国科学院数理学部院士。

提出利用半导体极性界面调控半导体量子结构能隙，发现极性界面处存在极强的局域电场，可以显著的改变其能带结构，后得到实验证实。这为人工设计半导体物性打开了新的途径，在半导体结构中实现宽光谱光电响应（从红光到太赫兹）；在主流半导体（Ge,InN）中实现拓扑相，突破了拓扑材料仅限于含有重元素的窄能隙体系的传统认识。发现窄能隙半导体非线性Rashba自旋轨道耦合效应，指出Rassba线性模型是常凯模型的一阶近似，而非线性行为是不可避免的，纠正了长期广泛使用的Rashba模型随动量增加而出现的严重偏差。预言窄能隙体系是观测自旋霍尔效应的最佳体系，并提出电场调控磁性的方案, 为自旋调控提供了新机制。发展多带多体有效质量理论，在窄能隙半导体量子结构中发现激子绝缘体及新奇电子态的存在，得到实验验证。他的工作揭示了半导体量子结构中丰富的物理内涵。

常凯是我国半导体理论物理领域一位优秀的学科带头人。他注重理论与实验合作，在半导体量子结构物性调控，特别是半导体极性界面、窄能隙半导体自旋轨道耦合和新奇量子相探索等方面取得了一系列具有重要国际影响的原创性成果，发表包括Nature子刊和PRL在内的重要学术刊物上的SCI论文150余篇，在国际半导体物理大会(ICPS)、美国APS March Meeting等国际会议上做邀请报告60余次。曾担任第16届国际窄能隙半导体会议主席和第33届国际半导体物理大会程序委员会主席。