半导体所等在莫尔异质结层间激子研究方面取得进展
半导体所举行2023年开学典礼暨研究生入所教育大会
半导体所在高功率、低噪声量子点DFB单模激光器研究方面取得重要进展
半导体所召开主题教育专题民主生活会
半导体所等在手性分子产生自旋极化研究中取得新进展
半导体所召开党委理论学习中心组学习(扩大)会
半导体所组织学习贯彻中国科学院2023年夏季党组扩大会议精神
【中国科学院院刊】抢占“镓体系”半导体科技制高点 助力实现光电子信息产业的...
半导体所观测到各向异性平面能斯特效应
中国科学院副院长阴和俊调研半导体研究所
官方微信
友情链接

王守觉先生生平

2016-06-03

  中国科学院院士,中国科学院半导体研究所研究员、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员、中国电子学会副理事长、同济大学信息工程学院名誉院长、中国人工智能学会神经网络与计算智能委员会名誉主任、著名半导体电子学家王守觉先生因病医治无效,不幸于201663日凌晨零点五分在苏州逝世,享年91岁。半导体研究所和电子学科领域为失去这样一位学科泰斗,扼腕痛惜;王氏家族,为失去这样一位挚爱亲人,无限悲痛;学生弟子,为失去这样一位良师,深切哀悼。 

  王守觉先生,原籍江苏苏州,1925627日生于上海。他出身于一个富有科学传统的家庭,父亲王季同是中国第一个在国际数学杂志上发表论文的科学家,而他的哥哥姐姐们也都是经纶济世之才,大哥王守竞是我国机械工业的创始人;二哥王守融是我国著名的精密机械仪器专家;大姐王淑贞,是上海妇产医院创始人,与林巧稚有“南王北林”之称;二姐王明贞,是清华第一位女教授;最小的哥哥王守武,和他同为中国科学院院士。 

  王守觉先生1949年毕业于同济大学,1949年至1950,在中国科学院应用物理研究所工作任助理员,1953年至1956年,在第一机械工业部第二设计分局任主任设计师,1956年至1960年,在中国科学院物理研究所任副研究员,1960年以来,一直工作在中国科学院半导体研究所,先后担任研究员、室主任、副所长、所长等。1955年获上海市劳模,1956年被评为全国先进工作者代表,1980年当选中国科学院学部委员(院士)。先后获得国家发明奖与全国工业新产品一等奖、中国科学院重大成果一等奖、中国科学院二等奖3项、中国科学院三等奖、国家发明三等奖、北京市科技进步一等奖、何梁何利科技进步奖和台湾潘文渊文教基金杰出科研奖等奖励。 

  王守觉先生从事半导体与信息科学研究工作六十多年,是我国电子学科的泰斗,是半导体器件、半导体集成电路的奠基人。1958年研制成功中国首只锗合金扩散高频晶体管,使频率由2MHz提高到200MHz,解决了高速晶体管化计算机的需求。1963年在中国首先研制成功硅平面工艺和平面器件,保证了为中国“两弹一星”的研制工作做出重大贡献的109丙机的研制成功。研制成功国内最早的4种固体组件,为专用微机的实现创造了基本条件。1978年,在国际上最先发表了一种集成高速模糊逻辑电路——多元逻辑电路(DYL),并研究了它在精确信号线路与系统中的应用,依此研究的高速数模转换电路使中国集成8D/A转换器转换时间由80ns缩短至4ns以下。1990年起,致力于神经网络模式识别等机器形象思维的基础理论与实际应用研究,在国家“八五”、“九五”科技攻关中,承担了神经网络的实现和应用技术的攻关工作,研制成中国唯一一个产品化的半导体神经网络硬件系列,相继两次被评为国家“八五”、“九五”科技攻关先进个人。近十多年来,他还提出了“仿生模式识别”新理论新方法,首创了信息处理新理论——“高维形象几何仿生信息学”,为解决维数高、自变量数多、计算复杂度大的计算问题提供了新思路。 

  王守觉先生在教育战线上辛勤耕耘60余年,倾注了大量心血和汗水,取得卓越成绩。他注重学生的理论基础,着重培养学生实践和实验能力,勉励他们不断创新。他刻苦钻研,认真备课,精心讲授,如今已是桃李满园,为国家造就了一大批德才兼备的专业人才。 

   王守觉先生的一生,是无私奉献的一生,是光荣伟大的一生,他对国家和人民无限忠诚,将毕生精力奉献给了我国科技与教育事业。他富有远见卓识和开创精神,以国家的重大需求为目标,为我国的半导体事业做出重大贡献。他严于律己,克已奉公,治学严谨、为人谦和、作风民主。他的业绩和品德,为中国科技事业树立了一座不朽的丰碑,他崇高的科学精神和道德风范永远值得我们学习和敬仰! 

  王守觉先生的逝世不仅是半导体所的重大损失,也是我国科学界、教育界的重大损失。对王守觉先生的逝世,我们表示深切的哀悼! 

  王守觉先生千古! 

    

                              王守觉先生治丧委员会 

                                 201663 



关于我们
下载视频观看
联系方式
通信地址

北京市海淀区清华东路甲35号(林大北路中段) 北京912信箱 (100083)

电话

010-82304210/010-82305052(传真)

E-mail

semi@semi.ac.cn

交通地图
版权所有 中国科学院半导体研究所

备案号:京ICP备05085259-1号 京公网安备110402500052 中国科学院半导体所声明