2014年4月，我国教育部所属国家留学基金管理委员会公布了“2013年国家优秀自费留学生奖学金”获奖者名单。半导体所硕士毕业生、美国弗吉尼亚大学博士研究生朱岩同学榜上有名。 

　　朱岩同学是2008年级免试推荐入学本所研究生，导师为超晶格实验室牛智川研究员。朱岩同学基础知识扎实、学习主动、工作努力，在导师指导下能较快地掌握专业实验方法。为发挥其优点，确定其研究方向侧重基础材料物理的长波长GaAs基InGaAs量子点材料外延生长及发光特性。InAs量子点是一种典型的人工类原子结构，是目前固态量子物理和量子信息器件研究领域的重要材料体系。朱岩同学深入研究了GaAs基InAs量子点波长拓展、外延参数优化及发光性能表征等，分别采用GaAsSb异变材料、双叠层量子点结构等，成功获得室温发光波长在1.5微米波段量子点。他以第一作者完成论文两篇，合作论文2篇。2011年获得硕士学位后，赴美国弗吉尼亚大学继续攻读博士学位。朱岩同学在博士学位研究工作中，充分发挥了在半导体所学习期间在Sb元素异质结材料方面的研究经验，在InGaAs/GaAsSb应变材料及其场效应电学性能、能带设计、界面物理、材料生长和器件表征等方面获得多项创新成果，发表SCI论文19篇（第一作者10篇），于2014年4月通过博士论文答辩，并成功入选“2013年度国家优秀自费留学生奖学金”。半导体所获得此项荣誉的毕业生，他们以优异的学习成绩、出色研究成果为半导体所研究生工作赢得了良好的国际声誉。